公开(公告)号：CN110047743A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910255989.3

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L29/417 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN104934377B

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201510122545.4

申请日：2015-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曾伟雄 ,  金柱然 ,  元皙俊 ,  李钟镐 ,  李惠兰 ,  河龙湖

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽；在第一沟槽中形成高k电介质层；在高k电介质层上依次形成扩散层和阻挡层；随后进行退火；在退火之后，依次去除阻挡层和扩散层；在高k电介质层上形成第一势垒层；在第一势垒层上依次形成功函数调节层和栅极导体；以及在栅极导体上形成盖层。

公开(公告)号：CN100479113C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200510091335.X

申请日：2005-05-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金润奭 ,  金宗杓 ,  林夏珍 ,  朴哉彦 ,  丁炯硕 ,  李钟镐 ,  梁钟虎

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/304 ,  C23C16/44 ,  C23C16/40

Abstract: 提供了使用原子层沉积工艺在半导体基底上制造金属硅酸盐层的方法。为了形成具有所需厚度的金属硅酸盐层，这些方法包括进行金属硅酸盐层形成周期至少一次。金属硅酸盐层形成周期包括重复进行金属氧化物层形成周期K次的操作以及重复进行硅氧化物形成周期Q次的操作。K和Q分别是1至10的整数，该金属氧化物层形成周期包括步骤：向含有基底的反应器中供应金属源气体，排出残留在反应器中的金属源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。该硅氧化物层形成周期包括：向含有基底的反应器中供应硅源气体，排出残留在反应器中的硅源气体，接着向该反应器供应氧化物气体。

公开(公告)号：CN1779980A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510113817.0

申请日：2005-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 元皙俊 ,  权大振 ,  李钟镐

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L23/485 ,  H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00 ,  H01B3/02

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3142 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种适合于改善微电子器件性能的电介质多层和制造电介质多层的方法。微电子器件的电介质多层包括：由两种或更多不同元素的氧化物形成并且其中不形成层状结构的复合层，以及形成在复合层的至少一个表面上并由单一元素的氧化物形成的单层。

公开(公告)号：CN1284747A

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：CN00108946.3

申请日：2000-05-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣宽 ,  朴兴秀 ,  朴泳旭 ,  李相忍 ,  张允僖 ,  李钟镐 ,  崔城济 ,  李承桓 ,  林载顺 ,  李周远

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/283 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L21/28194 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 一种半导体器件,包括:由硅族材料构成的第一电极、依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层、和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极,此第二电极是在绝缘层上形成的。在电容器结构中,第一电极和第二电极可以分别是下层电极和上层电极。在晶体管结构中,第一电极和第二电极可以分别是硅衬底和栅极。绝缘层可以通过原子层析出法来形成。因此,在这种半导体器件中,有可能提高绝缘层的绝缘性能和增大电容器结构中的电容量。

公开(公告)号：CN100468736C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200510059121.4

申请日：2005-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炯硕 ,  李钟镐 ,  李化成 ,  崔在光

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种包括双栅极堆叠结构的集成电路器件及其形成方法。所述集成电路器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有第一掺杂区和第二掺杂区，该第二掺杂区具有不同于该第一掺杂区的掺杂类型。半导体衬底上的栅电极结构延伸于第一和第二掺杂区之间，该栅电极结构具有第一掺杂区中的第一高介电常数材料的栅极绝缘层以及第二掺杂区中的不同于第一高介电常数材料的第二高介电常数材料的栅极绝缘层。栅电极在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：CN1812054B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200510129719.6

申请日：2005-12-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼炷 ,  李钟镐 ,  韩成基 ,  丁炯硕

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/085 ,  H01L27/092

CPC classification number: H01L21/28088 ,  H01L21/823842

Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其相关制造方法，其中通过用碳和/或氟掺杂金属层，由单个金属层形成双功函数金属栅极电极。

公开(公告)号：CN100442517C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200410102330.8

申请日：2004-11-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李钟镐 ,  姜虎圭 ,  丁炯硕 ,  都昔柱 ,  金润奭

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823857 ,  H01L27/0922

Abstract: 一种半导体器件，包括第一和第二晶体管器件。该第一器件包括第一衬底区域，第一栅电极，以及第一栅极介质。第一栅极介质位于第一衬底区域和第一栅电极之间。第二器件包括第二衬底区域，第二栅电极，以及第二栅极介质。第二栅极介质位于第二衬底区域和第二栅电极之间。第一栅极介质包括第一高k层，该第一高k层具有大于或等于8的介电常数。同样，第二栅极介质包括第二高k层，该第二高k层具有大于或等于8的介电常数。第二高k层具有与第一高k层不同的材料成分。

公开(公告)号：CN101013700A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710006116.6

申请日：2007-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炯硕 ,  李钟镐 ,  韩成基 ,  金柱然 ,  朴廷珉

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/20 ,  H01L29/22 ,  H01L29/24 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明提供一种CMOS半导体器件，该器件具有双功函数金属栅极结构，所述结构利用能够实现对PMOS和NMOS器件的独立功函数控制并且显著降低或消除对栅极电介质可靠性的影响的制造技术形成。

公开(公告)号：CN1996617A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200710001445.1

申请日：2007-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丁炯硕 ,  李钟镐 ,  林夏珍 ,  俞美英

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/105 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：其中形成第一导电沟道的有源层，形成于在半导体基底上形成的有源区上的栅极、夹在所述有源区和栅极之间的栅极介电层。该半导体装置还包括沿半导体基底上的有源区和栅极介电层之间界面形成的电荷产生层，使得在该界面周围产生固定电荷。