公开(公告)号：CN107293492B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201710232643.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米可·坎托罗 ,  马里亚·托莱达诺·卢克 ,  许然喆 ,  裴东一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成包括第一半导体材料和第二半导体材料的半导体层；将半导体层图案化以形成初步有源图案；对初步有源图案的两个侧壁进行氧化，以在所述两个侧壁上形成氧化物层并且在初步有源图案中形成上部图案；以及去除置于一对上部图案之间的半导体图案，以形成包括所述一对上部图案的有源图案。氧化物层包括第一半导体材料的氧化物，并且上部图案中的所述第二半导体材料的浓度高于半导体图案中的所述第二半导体材料的浓度。

公开(公告)号：CN107293492A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710232643.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米可·坎托罗 ,  马里亚·托莱达诺·卢克 ,  许然喆 ,  裴东一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成包括第一半导体材料和第二半导体材料的半导体层；将半导体层图案化以形成初步有源图案；对初步有源图案的两个侧壁进行氧化，以在所述两个侧壁上形成氧化物层并且在初步有源图案中形成上部图案；以及去除置于一对上部图案之间的半导体图案，以形成包括所述一对上部图案的有源图案。氧化物层包括第一半导体材料的氧化物，并且上部图案中的所述第二半导体材料的浓度高于半导体图案中的所述第二半导体材料的浓度。