公开(公告)号：CN108122833A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711103608.7

申请日：2017-11-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志良 ,  庄正吉 ,  赖志明 ,  吴佳典 ,  杨超源 ,  曾健庭 ,  萧锦涛 ,  刘如淦 ,  林威呈 ,  周雷峻

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L21/76802

Abstract: 一种自对准通孔及利用由双重沟槽约束的自对准工艺形成所述通孔来制作半导体装置的方法。所述方法包括形成第一沟槽及在所述第一沟槽中沉积第一金属。此后，所述工艺包括在第一金属之上沉积介电层，使得所述介电层的顶表面处于与第一沟槽的顶表面实质上相同的水平高度。接下来，形成第二沟槽且通过蚀刻介电层的被第一沟槽与所述第二沟槽之间的重叠区暴露出的部分来形成通孔。通孔暴露出第一金属的一部分，且在第二沟槽中沉积第二金属，使得所述第二金属电耦合到所述第一金属。

公开(公告)号：CN108122763A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710248955.2

申请日：2017-04-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林佑明 ,  后藤贤一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/535 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体元件的制造方法，半导体元件包括鳍状场效晶体管元件，含有突出于基材层的鳍状结构，且鳍状结构沿第一方向延伸若干长度。通道层是形成于鳍状结构上。栅极堆叠包含栅极电极层和栅极介电层，形成于通道区上并沿垂直于第一方向的第二方向延伸，且覆盖鳍状结构的部分长度。源极和漏极是形成于沟渠上，且沟渠延伸入鳍状结构至其至少30％的高度。

公开(公告)号：CN105097489B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201510250282.5

申请日：2015-05-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67069

Abstract: 本发明提供能够抑制由蚀刻形成的线条的粗糙且能够维持在蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻方法包括堆积工序和蚀刻工序。在堆积工序中，利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将含有硅和碳的保护层堆积在由基底层和具有规定图案的光致抗蚀剂依次层叠而成的被处理体的光致抗蚀剂上。在蚀刻工序中，将堆积有保护层的光致抗蚀剂作为掩模并利用与第1处理气体不同的第2处理气体的等离子体来对基底层进行蚀刻。

公开(公告)号：CN107293492A

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201710232643.2

申请日：2017-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 米可·坎托罗 ,  马里亚·托莱达诺·卢克 ,  许然喆 ,  裴东一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02233 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02612 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/0684

Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成包括第一半导体材料和第二半导体材料的半导体层；将半导体层图案化以形成初步有源图案；对初步有源图案的两个侧壁进行氧化，以在所述两个侧壁上形成氧化物层并且在初步有源图案中形成上部图案；以及去除置于一对上部图案之间的半导体图案，以形成包括所述一对上部图案的有源图案。氧化物层包括第一半导体材料的氧化物，并且上部图案中的所述第二半导体材料的浓度高于半导体图案中的所述第二半导体材料的浓度。

公开(公告)号：CN107017298A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610956920.X

申请日：2016-11-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/4821 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/5381 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/785 ,  H01L23/481

Abstract: 一种场效晶体管，包括衬底、至少一栅极堆叠结构、源极与漏极区域以及内连线结构。内连线结构包含连接至导电区域的金属内连线、黏着鞘结构以及顶盖层。黏着鞘结构配置于金属内连线与层间介电层之间并围绕金属内连线。顶盖层配置在金属内连线上并覆盖位于金属内连线与层间介电层之间的间隙。

公开(公告)号：CN103031530B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201210371168.4

申请日：2012-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 柿本明修 ,  远藤笃史 ,  宫原孝广 ,  中岛滋 ,  高木聪 ,  五十岚一将

IPC: C23C16/24 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45523 ,  C30B25/02 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供薄膜的形成方法和成膜装置。在能够进行真空排气的处理容器内在被处理体的表面上形成晶种膜和含杂质的硅膜的薄膜的形成方法具有以下步骤：第1步骤，向处理容器内供给由氨基硅烷类气体和高级硅烷之中的至少任一种气体构成的晶种膜用原料气体而形成晶种膜；以及第2步骤，向处理容器内供给硅烷类气体和含杂质气体而形成非晶态的上述含杂质的硅膜。

公开(公告)号：CN103199080B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310000706.3

申请日：2013-01-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·V·阮 ,  G·博尼拉 ,  A·格里尔 ,  T·J·小黑格 ,  S·V·妮塔

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/249969 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电介质堆叠和使用单步骤沉积工艺向衬底沉积堆叠的方法。该电介质堆叠包括具有不同组成原子百分比、密度和多孔度的相同元素化合物的密致层和多孔层。该堆叠增强机械模量强度并且增强氧化和铜扩散阻挡属性。电介质堆叠具有遍布网络的无机或混合的无机-有机随机三维共价键，该网络包含不同化学组成的不同区域，诸如与具有相同类型材料但是具有较高多孔度的低k组件相邻的帽组件。

公开(公告)号：CN105369215A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510250443.0

申请日：2008-02-27

Applicant: 气体产品与化学公司

Inventor： H.思里丹达姆 ,  萧满超 ,  雷新建 ,  T.R.加夫尼 ,  E.J.小卡瓦克基

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/36 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/513

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开了由含有Si-H3的烷氨基硅烷，优选式(R1R2N)SiH3(其中R1和R2独立地选自C2-C10)以及氮源或氧源(优选氨或氧)进行等离子体增强周期化学气相沉积氮化硅、碳氮化硅、氧氮化硅、羧基氮化硅和掺碳的氧化硅的方法，使得膜与由热化学气相沉积获得的膜相比具有改进的特性，例如蚀刻速率、氢浓度和应力。

公开(公告)号：CN105296963A

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201510437048.3

申请日：2015-07-23

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 岛本聪 ,  广濑义朗 ,  山本隆治

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/67017

Abstract: 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，提高成膜处理的生产率，具有下述工序：通过将非同时地进行对衬底供给第一原料的工序、对衬底供给第二原料的工序和对衬底供给包含第二元素的反应物的工序作为一个循环，并进行规定次数的上述循环，由此在衬底上形成包含第一元素、第二元素及碳的膜，上述第一原料具有第一元素彼此形成的化学键，上述第二原料不具有第一元素彼此形成的化学键、而具有第一元素和碳形成的化学键。

公开(公告)号：CN105097489A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510250282.5

申请日：2015-05-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 久松亨 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/0332

Abstract: 本发明提供能够抑制由蚀刻形成的线条的粗糙且能够维持在蚀刻后残留的光致抗蚀剂的高度的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻方法包括堆积工序和蚀刻工序。在堆积工序中，利用含有四氯化硅气体、甲烷气体以及氢气的第1处理气体的等离子体将含有硅和碳的保护层堆积在由基底层和具有规定图案的光致抗蚀剂依次层叠而成的被处理体的光致抗蚀剂上。在蚀刻工序中，将堆积有保护层的光致抗蚀剂作为掩模并利用与第1处理气体不同的第2处理气体的等离子体来对基底层进行蚀刻。