公开(公告)号：CN103928050A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410019475.5

申请日：2014-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李重在 ,  孙京睦 ,  高相基 ,  金时雨

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C8/16 ,  G11C11/403 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1156

Abstract: 本发明公开了一种存储单元和具有存储单元的存储设备。该存储单元包括金属氧化物半导体（MOS）电容器，该金属氧化物半导体（MOS）电容器包括耦接到存贮节点的栅极和耦接到同步控制线的电极。该MOS电容器基于同步控制线上的电压变化将耦合电压添加到栅极。耦合电压可以将存贮节点维持在预定范围内。

公开(公告)号：CN103928050B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201410019475.5

申请日：2014-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李重在 ,  孙京睦 ,  高相基 ,  金时雨

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了一种存储单元和具有存储单元的存储设备。该存储单元包括金属氧化物半导体（MOS）电容器，该金属氧化物半导体（MOS）电容器包括耦接到存贮节点的栅极和耦接到同步控制线的电极。该MOS电容器基于同步控制线上的电压变化将耦合电压添加到栅极。耦合电压可以将存贮节点维持在预定范围内。