公开(公告)号：CN103928050B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201410019475.5

申请日：2014-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李重在 ,  孙京睦 ,  高相基 ,  金时雨

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了一种存储单元和具有存储单元的存储设备。该存储单元包括金属氧化物半导体（MOS）电容器，该金属氧化物半导体（MOS）电容器包括耦接到存贮节点的栅极和耦接到同步控制线的电极。该MOS电容器基于同步控制线上的电压变化将耦合电压添加到栅极。耦合电压可以将存贮节点维持在预定范围内。

公开(公告)号：CN107039579B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610900064.6

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐辅永 ,  李龙圭 ,  高宽协 ,  李重在

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

Abstract: 一种半导体器件，其包括存储单元阵列，该存储单元阵列进一步包括第一磁性存储单元的阵列和第二磁性存储单元的阵列。第一磁性存储单元中的每一个包括具有可逆阻抗状态的第一磁隧道结结构，而第二磁性存储单元中的每一个包括具有单次可编程(OTP)阻抗状态的第二磁隧道结结构。

公开(公告)号：CN107039579A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201610900064.6

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐辅永 ,  李龙圭 ,  高宽协 ,  李重在

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1653

Abstract: 一种半导体器件，其包括存储单元阵列，该存储单元阵列进一步包括第一磁性存储单元的阵列和第二磁性存储单元的阵列。第一磁性存储单元中的每一个包括具有可逆阻抗状态的第一磁隧道结结构，而第二磁性存储单元中的每一个包括具有单次可编程(OTP)阻抗状态的第二磁隧道结结构。

公开(公告)号：CN103928050A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410019475.5

申请日：2014-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李重在 ,  孙京睦 ,  高相基 ,  金时雨

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C8/16 ,  G11C11/403 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/1156

Abstract: 本发明公开了一种存储单元和具有存储单元的存储设备。该存储单元包括金属氧化物半导体（MOS）电容器，该金属氧化物半导体（MOS）电容器包括耦接到存贮节点的栅极和耦接到同步控制线的电极。该MOS电容器基于同步控制线上的电压变化将耦合电压添加到栅极。耦合电压可以将存贮节点维持在预定范围内。