公开(公告)号：CN111146289A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201910763096.X

申请日：2019-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  权义熙 ,  D.W.郑 ,  金宰浩 ,  金晙赫 ,  白康铉 ,  李奎沃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。

公开(公告)号：CN109471592A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811036681.1

申请日：2018-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰雄 ,  姜南旭 ,  D.W.郑

IPC: G06F3/06

CPC classification number: G06F3/0613 ,  G06F3/0625 ,  G06F3/0658 ,  G06F3/0659 ,  G06F3/0688 ,  G06F3/061 ,  G06F3/0629 ,  G06F3/0689

Abstract: 一种存储设备，包括：多个闪速存储器；第一局部控制器，连接到多个闪速存储器当中的第一组闪速存储器；第二局部控制器，连接到多个闪速存储器当中的第二组闪速存储器；以及全局控制器。全局控制器向第一局部控制器和第二局部控制器传送命令。第一局部控制器包括第一处理器，该第一处理器向全局控制器传送关于与在第一组闪速存储器上执行的操作相关联的命令的类型和数量的第一信息。第二局部控制器包括第二处理器，该第二处理器向全局控制器传送关于与在第二组闪速存储器上执行的操作相关联的命令的类型和数量的第二信息。

公开(公告)号：CN111146289B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201910763096.X

申请日：2019-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞在炫 ,  权义熙 ,  D.W.郑 ,  金宰浩 ,  金晙赫 ,  白康铉 ,  李奎沃

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 一种功率器件包括：第二导电类型的漂移层，位于第一导电类型的半导体层上；第二导电类型的第一源极区域和第二导电类型的第二源极区域，在漂移层上安置为彼此分开；以及栅电极，在第一源极区域和第二源极区域之间的漂移层上，栅极绝缘层在栅电极和漂移层之间，其中栅电极包括分别与第一源极区域和第二源极区域相邻的第一栅电极和第二栅电极、以及在第一栅电极和第二栅电极之间的第三栅电极，其中第三栅电极浮置或接地。

公开(公告)号：CN109471592B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN201811036681.1

申请日：2018-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宰雄 ,  姜南旭 ,  D.W.郑

IPC: G06F3/06

Abstract: 一种存储设备，包括：多个闪速存储器；第一局部控制器，连接到多个闪速存储器当中的第一组闪速存储器；第二局部控制器，连接到多个闪速存储器当中的第二组闪速存储器；以及全局控制器。全局控制器向第一局部控制器和第二局部控制器传送命令。第一局部控制器包括第一处理器，该第一处理器向全局控制器传送关于与在第一组闪速存储器上执行的操作相关联的命令的类型和数量的第一信息。第二局部控制器包括第二处理器，该第二处理器向全局控制器传送关于与在第二组闪速存储器上执行的操作相关联的命令的类型和数量的第二信息。