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公开(公告)号：CN104638080A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410363259.2
申请日：2014-07-28
CPC classification number: H01L31/035236 , G01S7/4914 , G01S17/36 , G01S17/89 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/0155 , G02F2201/34 , H01L31/02327 , H01L33/06
Abstract: 提供了一种光学设备，其包括具有两个外部势垒和在所述两个外部势垒之间的耦合量子阱的有源层。耦合量子阱包括：第一量子阱层、第二量子阱层、以及第三量子阱层、布置在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及布置在所述第二量子阱层和所述第三量子阱层之间的第二耦合势垒。第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度的每个与第二量子阱层的厚度不同。此外，第一量子阱层的能级和第三量子阱层的能级的每个与第二量子阱层的能级不同。
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公开(公告)号：CN102135671B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201010593275.2
申请日：2010-12-17
IPC: G02F1/017
CPC classification number: G02F1/017 , B82Y20/00 , G02F1/218 , G02F2001/0155 , G02F2201/307 , G02F2203/12
Abstract: 本发明公开了基于法布里-珀罗谐振反射的具有宽带宽的光调制器。该光调制器包括：底部分布布喇格反射器(DBR)层；包括至少一层和改性层的顶部DBR层；以及设置在底部DBR层和顶部DBR层之间的有源层，其中所述至少一层包括至少一对具有第一折射系数的第一折射系数层和具有第二折射系数的第二折射系数层，所述改性层包括至少一对具有第三折射系数的第三折射系数层和具有第四折射系数的第四折射系数层，所述第三折射系数与所述第四折射系数不同，以及所述第三折射系数层和所述第四折射系数层二者中的至少一个具有第二光学厚度，该第二光学厚度既不是λ/4，也不是λ/4的奇数倍。
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公开(公告)号：CN104638080B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201410363259.2
申请日：2014-07-28
CPC classification number: H01L31/035236 , G01S7/4914 , G01S17/36 , G01S17/89 , G02F1/017 , G02F1/01725 , G02F2001/0155 , G02F2201/34 , H01L31/02327 , H01L33/06
Abstract: 提供了一种光学设备，其包括具有两个外部势垒和在所述两个外部势垒之间的耦合量子阱的有源层。耦合量子阱包括：第一量子阱层、第二量子阱层、以及第三量子阱层、布置在所述第一量子阱层和所述第二量子阱层之间的第一耦合势垒、以及布置在所述第二量子阱层和所述第三量子阱层之间的第二耦合势垒。第一量子阱层的厚度和第三量子阱层的厚度的每个与第二量子阱层的厚度不同。此外，第一量子阱层的能级和第三量子阱层的能级的每个与第二量子阱层的能级不同。
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公开(公告)号：CN104977770A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410791118.0
申请日：2014-12-18
IPC: G02F1/17
CPC classification number: G02F1/01725 , B82Y20/00 , G02F1/133605 , G02F2001/0157 , G02F2001/01733 , G02F2001/0175 , G02F2001/01766 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L31/00 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/05124 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , Y02E10/548 , Y10S977/755
Abstract: 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。
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公开(公告)号：CN102135671A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010593275.2
申请日：2010-12-17
IPC: G02F1/017
CPC classification number: G02F1/017 , B82Y20/00 , G02F1/218 , G02F2001/0155 , G02F2201/307 , G02F2203/12
Abstract: 本发明公开了基于法布里-珀罗谐振反射的具有宽带宽的光调制器。该光调制器包括：底部分布布喇格反射器(DBR)层；包括至少一层和改性层的顶部DBR层；以及设置在底部DBR层和顶部DBR层之间的有源层，其中所述至少一层包括至少一对具有第一折射系数的第一折射系数层和具有第二折射系数的第二折射系数层，所述改性层包括至少一对具有第三折射系数的第三折射系数层和具有第四折射系数的第四折射系数层，所述第三折射系数与所述第四折射系数不同，以及所述第三折射系数层和所述第四折射系数层二者中的至少一个具有第二光学厚度，该第二光学厚度既不是λ/4，也不是λ/4的奇数倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104977770B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201410791118.0
申请日：2014-12-18
IPC: G02F1/17
CPC classification number: G02F1/01725 , B82Y20/00 , G02F1/133605 , G02F2001/0157 , G02F2001/01733 , G02F2001/0175 , G02F2001/01766 , H01L23/528 , H01L23/53223 , H01L31/00 , H01L31/035236 , H01L31/075 , H01L31/105 , H01L33/04 , H01L33/10 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L33/502 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2224/05124 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , Y02E10/548 , Y10S977/755
Abstract: 一种光学设备，包括有源层，该有源层包括至少两个外部势垒以及被插入在所述至少两个外部势垒之间的至少一个耦合量子阱。每个耦合量子阱包括至少三个量子阱层以及分别被设置在所述至少三个量子阱层之间的至少两个耦合势垒。被布置在所述至少三个量子阱层的相对端部分处的两个量子阱层的厚度小于在被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层之间布置的其他量子阱层的厚度。被布置在所述相对端部分处的两个量子阱层的带隙可以高于被布置在所述两个量子阱层之间的其他量子阱层的带隙。
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公开(公告)号：CN109752906B
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN201811085097.5
申请日：2018-09-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03B21/20
Abstract: 本公开提供了一种元投影仪、光源装置及包括元投影仪的对象识别装置和电子装置。元投影仪包括配置为沿着光路发射光的光源阵列。光源阵列包括第一发光阵列和第二发光阵列，第一发光阵列包括配置为发射具有第一组光特性的第一光的多个第一发光元件，第二发光阵列包括配置为发射具有第二组光特性的第二光的多个第二发光元件，第二组光特性不同于第一组光特性。元投影仪包括与光路对准的元结构层。元投影仪包括具有比从光源阵列发射的光的波长更小的亚波长形状尺寸的多个纳米结构。元结构层被配置为对第一光和第二光关于彼此进行不同地调制。
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公开(公告)号：CN110858702A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910752325.8
申请日：2019-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种背面发光式光源阵列器件和电子装置。该背面发光式光源阵列器件包括：基板；分布式布拉格反射器(DBR)，设置在基板的第一表面上；多个增益层，设置在DBR上，所述多个增益层彼此间隔开，并且所述多个增益层中的每个增益层被配置为分别产生光；以及纳米结构反射器，设置在所述多个增益层上与DBR相对，并且包括具有亚波长尺寸的多个纳米结构，其中，DBR的反射率小于纳米结构反射器的反射率，使得产生的光通过基板发射。
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公开(公告)号：CN109752905A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811007364.7
申请日：2018-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03B21/20
CPC classification number: G02B3/08 , G01B11/25 , G01S7/4814 , G01S17/48 , G02B1/002 , G02B3/06 , G02B5/008 , G02B5/08 , G02B5/1809 , G02B5/189 , G02B19/0004 , G02B19/0057 , G02B27/425 , G03B21/142 , G03B21/2033
Abstract: 提供了投影仪，每个投影仪包括：光源，被配置为发射激光；基板，与光源间隔开一距离；图案掩模，包括在基板的第一表面上的图案，该第一表面面向光源；以及元透镜，包括在基板的第二表面上的多个第一纳米结构，该第二表面面向第一表面，纳米结构具有亚波长的形状尺寸，该亚波长小于从光源发射的光的波长。
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