公开(公告)号：CN107017333A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610868492.5

申请日：2016-09-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金圣雄 ,  金恩声 ,  黃在烈 ,  朴晟准 ,  申铉振

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/16

CPC classification number: H01L35/16 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L35/10 ,  H01L35/18 ,  H01L35/34

Abstract: 公开热电结构体、热电器件和其制造方法。可包括在热电器件中的热电结构体可包括薄膜结构体，所述薄膜结构体可包含多个薄膜层。所述薄膜结构体可包括碲。所述薄膜结构体可在基底上。所述基底可包括氧化物，且缓冲层可在所述基底和所述薄膜结构体之间。所述热电结构体可经由将从靶烧蚀的材料沉积到所述基底上而制造。一些材料可与所述基底反应以形成所述缓冲层，和薄膜层可形成于所述缓冲层上。可将所述薄膜层从所述基底除去并且提供在单独的基底上。将所述薄膜层从所述基底除去可包括将所述薄膜层从所述缓冲层除去。

公开(公告)号：CN104137282A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201280070771.7

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在荣 ,  白承铉 ,  洪承贤 ,  金元泳 ,  金恩声 ,  李永熙

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/22 ,  C01B32/184 ,  H01L35/16 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  Y02P20/133

Abstract: 一种异质层叠包括：石墨烯；和设置在石墨烯上的热电无机化合物。

公开(公告)号：CN104137282B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280070771.7

申请日：2012-12-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔在荣 ,  白承铉 ,  洪承贤 ,  金元泳 ,  金恩声 ,  李永熙

IPC: H01L35/16 ,  H01L35/22 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/22 ,  C01B32/184 ,  H01L35/16 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  Y02P20/133

Abstract: 一种异质层叠包括：石墨烯；和设置在石墨烯上的热电无机化合物。