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公开(公告)号：CN118084044A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311552533.6
申请日：2023-11-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
Abstract: 提供结晶InZnO氧化物半导体、其形成方法、和包括结晶InZnO氧化物半导体的半导体器件。结晶InZnO氧化物半导体包括包含In和Zn的氧化物，其中在电感耦合等离子体质谱法(ICP‑MS)分析中，In和Zn中的In的含量为约30原子％或更大且约75原子％或更小，并且在X射线衍射(XRD)分析中，所述结晶InZnO氧化物半导体具有在约32.3度和约33.3度之间的2θ处的显示结晶度的峰。
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公开(公告)号：CN119697987A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410770766.1
申请日：2024-06-14
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括半导体图案、位于所述半导体图案上的电介质层和位于所述电介质层上的导电图案。所述半导体图案和所述电介质层中的每一者包括杂质。所述电介质层包括杂质的浓度分布，所述杂质的浓度分布包括第一变化区段和第二变化区段，所述第一变化区段包括贯穿所述电介质层朝向所述半导体图案减小的杂质的第一浓度，所述第二变化区段包括贯穿所述电介质层朝向所述半导体图案减小的杂质的第二浓度。
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公开(公告)号：CN118382291A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410031749.6
申请日：2024-01-09
Applicant: 三星电子株式会社 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了一种半导体存储器件。半导体存储器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的位线，设置在位线上的第一沟道图案，设置在位线上并在第一方向上与第一沟道图案间隔开的第二沟道图案，设置在第一沟道图案与第二沟道图案之间并沿第二方向延伸的第一字线，设置在第一沟道图案与第二沟道图案之间、沿第二方向延伸并在第一方向上与第一字线间隔开的第二字线，及分别设置在第一沟道图案和第二沟道图案上并且分别连接到第一沟道图案和第二沟道图案的第一电容器和第二电容器，第一沟道图案和第二沟道图案均包括包含铟(In)、镓(Ga)和锡(Sn)的第一金属氧化物图案，并且在第一金属氧化物图案的空间组成分布中，锡峰的位置不同于镓峰的位置。
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公开(公告)号：CN108269854B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201711401682.7
申请日：2017-12-21
Applicant: 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/32 , G02F1/1368
Abstract: 公开了一种薄膜晶体管基板及其制造方法和显示装置。所述薄膜晶体管基板可包括：基础基板；设置在所述基础基板上的第一保护膜；设置在所述第一保护膜上的氧化物半导体层；栅极电极，所述栅极电极与所述氧化物半导体层绝缘并且与所述氧化物半导体层的至少一部分部分地交叠；与所述氧化物半导体层连接的源极电极；和漏极电极，所述漏极电极设置在距所述源极电极预定间隔处并且与所述氧化物半导体层连接，其中所述氧化物半导体层具有2.4at％(原子百分比)～2.6at％的氢含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111599839A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010106821.9
申请日：2020-02-20
Applicant: 三星显示有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 提供了一种显示装置和制造所述显示装置的方法。所述显示装置包括像素，所述像素连接到扫描线和与所述扫描线交叉的数据线，其中所述像素包括发光元件和驱动晶体管，所述驱动晶体管根据从所述数据线接收的数据电压控制向所述发光元件提供的驱动电流，其中所述驱动晶体管包括具有包含锡(Sn)的氧化物半导体的第一有源层。
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公开(公告)号：CN108269854A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201711401682.7
申请日：2017-12-21
Applicant: 乐金显示有限公司 , 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L29/786 , H01L21/34 , H01L27/32 , G02F1/1368
Abstract: 公开了一种薄膜晶体管基板及其制造方法和显示装置。所述薄膜晶体管基板可包括：基础基板；设置在所述基础基板上的第一保护膜；设置在所述第一保护膜上的氧化物半导体层；栅极电极，所述栅极电极与所述氧化物半导体层绝缘并且与所述氧化物半导体层的至少一部分部分地交叠；与所述氧化物半导体层连接的源极电极；和漏极电极，所述漏极电极设置在距所述源极电极预定间隔处并且与所述氧化物半导体层连接，其中所述氧化物半导体层具有2.4at％(原子百分比)～2.6at％的氢含量。
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公开(公告)号：CN106796958A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201580049981.1
申请日：2015-09-14
Applicant: 汉阳大学校产学协力团
IPC: H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/78606 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供薄膜晶体管。上述薄膜晶体管包括：基板；活性图案，配置于上述基板上，包括氮化物；保护图案，配置于上述活性图案上，包括非氮化物；栅电极，与上述活性电极重叠；以及栅极绝缘膜，形成于上述栅电极及上述活性图案之间。
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公开(公告)号：CN104978249A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510167012.8
申请日：2015-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/26
CPC classification number: G06F9/3865 , G06F9/30145 , G06F11/3688
Abstract: 本发明公开了一种系统芯片及其验证方法。所述验证方法包括步骤：接收测试产生器和异常处理程序；基于测试模板，通过测试产生器来产生测试程序，所述测试程序包括异常引发指令；在执行测试程序时，在第一操作状态下执行第一指令；当在测试程序的执行过程中执行了异常引发指令时，使测试程序的执行停止并且执行包括在异常处理程序中的固定指令序列；以及在执行固定指令序列之后设置的第二操作状态下从第二指令恢复执行测试程序，该第二指令对应于与异常引发指令的地址邻近的地址。
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公开(公告)号：CN104978249B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201510167012.8
申请日：2015-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/26
Abstract: 本发明公开了一种系统芯片及其验证方法。所述验证方法包括步骤：接收测试产生器和异常处理程序；基于测试模板，通过测试产生器来产生测试程序，所述测试程序包括异常引发指令；在执行测试程序时，在第一操作状态下执行第一指令；当在测试程序的执行过程中执行了异常引发指令时，使测试程序的执行停止并且执行包括在异常处理程序中的固定指令序列；以及在执行固定指令序列之后设置的第二操作状态下从第二指令恢复执行测试程序，该第二指令对应于与异常引发指令的地址邻近的地址。
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