公开(公告)号：CN107665859B

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN201710607173.3

申请日：2017-07-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  里兰斯坦福初级大学理事会

Inventor： 金基贤 ,  F.B.普林茨 ,  姜真成 ,  李永东 ,  J.普罗文 ,  P.辛德勒 ,  S.P.沃尔克 ,  金容民 ,  金孝真

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L21/28

Abstract: 本公开提供了包括电隔离图案的半导体器件及其制造方法。一种形成复合电介质材料的方法可以通过执行第一沉积循环以形成第一电介质材料以及执行第二沉积循环以在第一电介质材料上形成第二电介质材料来提供，其中第一电介质材料和第二电介质材料包括从由过渡金属氮化物、过渡金属氧化物、过渡金属碳化物、过渡金属硅化物、后过渡金属氮化物、后过渡金属氧化物、后过渡金属碳化物、后过渡金属硅化物、准金属氮化物、准金属氧化物和准金属碳化物组成的列表中选择的不同的电介质材料。

公开(公告)号：CN107665859A

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201710607173.3

申请日：2017-07-24

Applicant: 三星电子株式会社 ,  里兰斯坦福初级大学理事会

Inventor： 金基贤 ,  F.B.普林茨 ,  姜真成 ,  李永东 ,  J.普罗文 ,  P.辛德勒 ,  S.P.沃尔克 ,  金容民 ,  金孝真

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/762 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5225 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/535 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10885 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/762

Abstract: 本公开提供了包括电隔离图案的半导体器件及其制造方法。一种形成复合电介质材料的方法可以通过执行第一沉积循环以形成第一电介质材料以及执行第二沉积循环以在第一电介质材料上形成第二电介质材料来提供，其中第一电介质材料和第二电介质材料包括从由过渡金属氮化物、过渡金属氧化物、过渡金属碳化物、过渡金属硅化物、后过渡金属氮化物、后过渡金属氧化物、后过渡金属碳化物、后过渡金属硅化物、准金属氮化物、准金属氧化物和准金属碳化物组成的列表中选择的不同的电介质材料。