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公开(公告)号：CN112668689A
公开(公告)日：2021-04-16
申请号：CN202010410622.7
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 一种进行多媒体数据处理的方法和设备。一种处理多媒体数据的方法包括：获得多媒体数据；以及使用神经网络从所述多媒体数据识别对象，其中，针对神经网络的至少一个层中的任意一层执行如下处理：基于包括在第一矩阵数据中的有效元素的信息产生第一矩阵数据的压缩数据，其中，第一矩阵数据被用于对第二矩阵数据进行卷积运算，其中，第二矩阵数据对应于多媒体数据或者与所述多媒体数据相应的特征图数据；基于所述压缩数据提取第二矩阵数据中的元素值信息；并且基于所述压缩数据和提取出的第二矩阵数据中的元素值信息产生输出矩阵数据。
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公开(公告)号：CN118732937A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202311616189.2
申请日：2023-11-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了一种用于存储器中处理的存储装置和存储装置的操作方法。所述存储装置包括多个存储器芯片。所述多个存储器芯片均包括多个存储体和逻辑电路。在第一操作模式下，所述逻辑电路基于从所述主机接收到的第一命令和第一地址将第一数据写入到所述多个存储体中，并且基于从所述主机接收到的第三数据和所述第一数据来执行第一存储器中处理(PIM)运算。在第二操作模式下，所述逻辑电路基于从所述主机接收到的第一命令和第一地址将第二数据写入到所述多个存储体中，并且基于从所述主机接收到的与所述第三数据不同的第四数据和所述第二数据来执行第二PIM运算。
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公开(公告)号：CN115083464A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202210082099.9
申请日：2022-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储装置包括：存储器内嵌处理器(PIM)电路，所述PIM电路包括被配置为执行内部处理操作的内部处理器；以及接口电路，所述接口电路连接到所述PIM电路，其中，所述接口电路包括：命令地址译码器，所述命令地址译码器被配置为对通过第一引脚接收的命令和地址进行译码以生成内部命令；第二引脚，所述第二引脚被配置为接收与控制PIM操作模式有关的电压信号；和命令模式译码器，所述命令模式译码器被配置为基于所述内部命令和所述电压信号生成至少一个命令模式位(CMB)，所述接口电路基于所述至少一个CMB向所述PIM电路输出内部控制信号以控制所述PIM电路的所述内部处理操作。
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公开(公告)号：CN1963949B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200610144708.X
申请日：2006-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C5/143 , G11C7/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C2013/0057 , G11C2213/72
Abstract: 在一个方面，一种非易失性半导体存储装置，包括相变存储单元阵列，其包括多个字线、多个位线、多个相变存储单元，其中每个相变存储单元包括串联在相变存储单元阵列的该多个字线和位线之中的字线和位线之间的相变阻抗元件和二极管。该方面的存储装置还包括：读出结点，其选择性地连接到相变存储单元阵列的位线；提升电路，其生成大于内部电源电压的提升电压；预充电和偏置电路，其由提升电压驱动以预充电和偏置该读出结点；以及读出放大器，其连接到该读出结点。该提升电压可以等于或大于该内部电源电压和每个相变存储单元的二极管的阈值电压之和。
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公开(公告)号：CN1892889B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200510136251.3
申请日：2005-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种相变存储设备及其编程方法。该相变存储设备包括：每个具有多个状态的存储单元、和向存储单元提供电流脉冲的编程脉冲发生器。该编程脉冲发生器通过施加第一脉冲到存储单元而将该存储单元初始化为复位或置位状态，然后施加第二脉冲而将该存储单元编程为所述多个状态之一。根据本发明，当在将存储单元初始化到复位或置位状态之后进行编程时，可以在不受存储单元的先前状态的影响的情况下，对存储单元进行正确编程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1892889A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200510136251.3
申请日：2005-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092 , G11C2213/79
Abstract: 公开了一种相变存储设备及其编程方法。该相变存储设备包括：每个具有多个状态的存储单元、和向存储单元提供电流脉冲的编程脉冲发生器。该编程脉冲发生器通过施加第一脉冲到存储单元而将该存储单元初始化为复位或置位状态，然后施加第二脉冲而将该存储单元编程为所述多个状态之一。根据本发明，当在将存储单元初始化到复位或置位状态之后进行编程时，可以在不受存储单元的先前状态的影响的情况下，对存储单元进行正确编程。
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公开(公告)号：CN113805790B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202011442348.8
申请日：2020-12-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种执行存储器内处理的存储器装置。所述存储器装置包括：存储器内操作单元，执行被流水线化为多流水线级的操作的存储器内处理；存储器存储体，被分配给存储器内操作单元，使得由n个存储器存储体形成的组被分配给每个存储器内操作单元，每个存储器存储体在流水线化的操作被执行的同时执行由多个存储器内操作单元中的每个请求的数据的访问操作，其中，n是自然数；存储器裸片，存储器内操作单元、存储器存储体和被配置为从外部源接收命令信号的命令垫布置在存储器裸片中。每个由n个存储器存储体形成的组包括具有到命令垫的第一数据传输距离的第一存储器存储体和具有大于第一数据传输距离的到命令垫的第二数据传输距离的第二存储器存储体。
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公开(公告)号：CN1975927A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610163200.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
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公开(公告)号：CN1963949A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610144708.X
申请日：2006-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C5/145 , G11C5/143 , G11C7/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C2013/0057 , G11C2213/72
Abstract: 在一个方面，一种非易失性半导体存储装置，包括相变存储单元阵列，其包括多个字线、多个位线、多个相变存储单元，其中每个相变存储单元包括串联在相变存储单元阵列的该多个字线和位线之中的字线和位线之间的相变阻抗元件和二极管。该方面的存储装置还包括：读出结点，其选择性地连接到相变存储单元阵列的位线；提升电路，其生成大于内部电源电压的提升电压；预充电和偏置电路，其由提升电压驱动以预充电和偏置该读出结点；以及读出放大器，其连接到该读出结点。该提升电压可以等于或大于该内部电源电压和每个相变存储单元的二极管的阈值电压之和。
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公开(公告)号：CN118363679A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202311777659.3
申请日：2023-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F9/445 , G06F12/0806
Abstract: 公开了一种电子装置、处理器和操作电子装置的方法。电子装置包括：处理器，被配置为：在处理引起存储器内处理(PIM)操作的指令时，选择性地将存储在高速缓存中的与PIM操作相关的数据作为用于从高速缓存到存储器的移动的目标；以及存储器被配置为：基于将所述数据作为用于从高速缓存到存储器的移动的目标的步骤，来从高速缓存接收数据，并基于与从处理器中继的所述指令对应的命令，来对存储器中的所述数据执行PIM操作。
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