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公开(公告)号：CN112309717A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010690279.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。
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公开(公告)号：CN114678214A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210367562.4
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。
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公开(公告)号：CN112309717B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010690279.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。
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公开(公告)号：CN212322841U
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202021422156.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。根据本公开的多层陶瓷电子组件可具有优异的可靠性。
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