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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112309717B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202010690279.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。
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公开(公告)号：CN112309717A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010690279.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及其制造方法。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。
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公开(公告)号：CN114694962A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111497055.4
申请日：2021-12-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种多层陶瓷电容器和具有该多层陶瓷电容器的板组件，所述多层陶瓷电容器包括电容器主体，所述电容器主体包括有效区域和盖，所述有效区域包括交替地设置的多个介电层和多个内电极，且相应的介电层介于所述内电极之间，所述盖分别形成在所述有效区域上和所述有效区域下。所述多层陶瓷电容器还包括外电极，所述外电极设置在电容器主体上以连接到所述内电极。在所述内电极中，邻近于所述盖中的至少一个盖设置的内电极具有至少一个切除部，所述切除部位于所述内电极的连接到所述外电极的部分内，并且所述切除部被介电材料填充(至少部分地填充)。
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公开(公告)号：CN114678214A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210367562.4
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。
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公开(公告)号：CN212322841U
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202021422156.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层；以及第一内电极和第二内电极，设置在所述陶瓷主体内，并且设置为彼此相对，且所述介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间。当所述介电层的平均厚度被称为td，且所述介电层的厚度的标准偏差被称为σtd，并且所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度被称为te，且所述第一内电极和所述第二内电极中的任意层内电极的厚度的标准偏差被称为σte时，所述任意层内电极的所述厚度的标准偏差与所述介电层的所述厚度的标准偏差的比σte/σtd满足1.10≤σte/σtd≤1.35。根据本公开的多层陶瓷电子组件可具有优异的可靠性。
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