多层电子组件
    1.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN117995553A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311444647.9

    申请日:2023-11-01

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上。在所述介电层的与所述介电层和所述内电极之间的界面间隔开2nm的区域中,铟(In)相对于钛(Ti)的平均含量满足大于等于0.3at%且小于等于3.8at%。

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