公开(公告)号：CN118197798A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311722812.2

申请日：2023-12-14

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 姜心忠 ,  李种晧 ,  李银贞 ,  蔡现植 ,  金善美 ,  沈大振

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层以及与所述介电层在第一方向上交替地设置的内电极；外电极，设置在所述主体上；以及侧边缘部，设置在所述主体上，其中，包括在所述侧边缘部中的Sn的平均含量大于等于0.1mol％且小于等于4.0mol％，其中，所述侧边缘部的Ba/Ti比大于1.040且小于1.070，并且其中，包括在所述侧边缘部中的多个介电晶粒的平均尺寸满足大于等于100nm且小于等于290nm。

公开(公告)号：CN116118310A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211097641.4

申请日：2022-09-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 沈大振 ,  朴廷振 ,  金秀珉 ,  李种晧 ,  李银贞 ,  朴正鎭

IPC: B32B27/36 ,  B32B27/06 ,  B32B27/18 ,  B32B27/20 ,  B32B33/00 ,  B32B38/00 ,  B29D7/01

Abstract: 本公开提供一种用于制造电子组件的膜以及用于制造电子组件的方法。所述用于制造电子组件的膜包括：聚合物层；以及金属纳米线，分散在所述聚合物层中。所述聚合物层可包括诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯的聚酯类化合物。所述金属纳米线可包括诸如镍(Ni)、钴(Co)、铁(Fe)和它们的合金中的至少一种的铁磁金属。

公开(公告)号：CN118380264A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311856107.1

申请日：2023-12-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 郑惠允 ,  郑东俊 ,  蔡现植 ,  朴志恩 ,  姜心忠 ,  沈大振 ,  李银贞

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/002 ,  H01G4/224

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，并且包括第一表面和第二表面、第三表面和第四表面、第五表面和第六表面；外电极，设置在第三表面和第四表面上；以及侧边缘部，设置在第五表面和第六表面上。侧边缘部包括与内电极相邻的第一区域和与侧边缘部的外部相邻的第二区域。在通过分别分析位于第一区域和第二区域中的一个点而获得的拉曼光谱中，峰X出现在拉曼位移的450cm‑1至600cm‑1处。当在第一区域的拉曼光谱中出现峰X的拉曼位移的最小值为λcm‑1时，在第二区域的拉曼光谱中出现峰X的拉曼位移的最小值大于等于λ+0.75cm‑1。

公开(公告)号：CN118057560A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311226067.2

申请日：2023-09-21

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴廷振 ,  沈大振 ,  朴正鎭 ,  金宰源 ,  崔孝成 ,  崔虎森 ,  金善美 ,  李种晧

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/002 ,  H01G4/20 ,  H01G13/00 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供了一种用于制造电子组件的膜。所述用于制造电子组件的膜包括：聚合物层；以及导电纳米线和磁性纳米颗粒，分散在所述聚合物层中。

公开(公告)号：CN119905349A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410566439.4

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李丞镛 ,  李勇和 ,  金珉洙 ,  朴相珍 ,  全忠燮 ,  申眞福 ,  沈大振 ,  蔡现植 ,  金孝珍 ,  安重炫

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G13/00

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体的外表面上，其中，所述电容器主体包括交替设置所述介电层和所述内电极层的有效部、设置在所述有效部的彼此相对的两个侧端部处的侧边缘部以及分别设置在所述有效部和所述侧边缘部之间的结合部，并且所述有效部和所述侧边缘部中的至少一个包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)。

公开(公告)号：CN119659129A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411159190.1

申请日：2024-08-22

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 沈大振 ,  朴廷振 ,  朴正镇 ,  金宰源 ,  崔孝成 ,  刘南柱 ,  金贞姬 ,  李种皓

IPC: B32B27/36 ,  B32B27/08 ,  B32B27/28 ,  B32B33/00 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种剥离膜以及使用该剥离膜的制造多层电子组件的方法。所述剥离膜包括：基膜；以及剥离层，设置在所述基膜的一个表面上，其中，所述剥离层包括剥离组合物的固化层，所述剥离组合物包括包含氮的杂环化合物和聚二甲基硅氧烷，并且当使用X射线光电子能谱仪(XPS)对所述剥离层的表面进行分析时，所述剥离层的氮(N)与硅(Si)的原子比(N/Si)为0.6至1.1。