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公开(公告)号:CN104637674A
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201410337839.4
申请日:2014-07-16
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H05K1/185 , H01G4/0085 , H01G4/12 , H01G4/2325 , H01G4/30 , H05K1/0306 , H05K3/4697
Abstract: 本发明涉及具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板。根据本发明的实施方式,具有嵌入式电容器的低温共同烧制的陶瓷基板能够通过控制包括在基板中的各种金属的组成比率来防止在低温烧制之后电极的扩散、剥落或损失,从而导致陶瓷基板和电容器之间良好的附着。
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公开(公告)号:CN104345187A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410328012.7
申请日:2014-07-10
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 一种用于探针卡的板,该板包括:陶瓷板,该陶瓷板包括第一绝缘层、设置在该第一绝缘层的一个表面上的第二绝缘层,第二绝缘层包括用于容纳电子部件的腔;导电图形,该导电图形设置在所述第一绝缘层和第二绝缘层上;导电过孔,该导电过孔与所述导电图形电连接;和电容器,该电容器设置在所述腔中。所腔的深度大于所述电容器的厚度,以确保容纳所述电容器后在所述腔的下部中具有空间。
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公开(公告)号:CN1629992A
公开(公告)日:2005-06-22
申请号:CN200410101233.7
申请日:2004-12-15
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01G4/30 , H01G4/12 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/1227 , Y10T29/417 , Y10T29/43 , Y10T29/435
Abstract: 本发明涉及一种通过旋转涂布法制造层压陶瓷电容器的方法以及层压陶瓷电容器。该制造方法是通过涂布法形成多个电介质层,从而促使电介质层和内部电极的印刷步骤实现单一化。因此,不仅可以使电介质层的厚度变薄,而且也易于控制厚度。由于电介质层与内部电极连续形成,可以省略电介质层的剥离和层压步骤以及陶瓷层压体的压涂步骤。根据本发明,因为不压涂陶瓷层压体,在层压陶瓷电容器不会发生枕状化现象。
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公开(公告)号:CN100477032C
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200410096948.8
申请日:2004-12-06
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/005 , H01G4/12 , H01G4/30 , Y10T29/417
Abstract: 本发明公开了一种用于制造多层陶瓷电容器的方法,其中利用吸收元件印刷在多个介质片中的每一个上的内电极具有减小的厚度,从而允许该多层陶瓷电容器具有高电容并被最小化。该方法包括在多个介质片中的每一个上印刷内电极,并且堆叠介质片,其中通过使吸收元件与所述介质片的上表面接触以使所述内电极的上表面吸附到所述吸收元件上,然后将吸收元件与该表面分离以去除所述内电极的上部的具有指定厚度的一部分,以使形成于每个介质片上的内电极具有减小的厚度,并将具有减小厚度的内电极的介质片堆叠起来以形成芯片元件。
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公开(公告)号:CN1624830A
公开(公告)日:2005-06-08
申请号:CN200410096948.8
申请日:2004-12-06
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/005 , H01G4/12 , H01G4/30 , Y10T29/417
Abstract: 本发明公开了一种用于制造多层陶瓷电容器的方法,其中利用吸收元件印刷在多个介质片中的每一个上的内电极具有约化厚度,从而允许该多层陶瓷电容器具有高电容并被最小化。该方法包括在多个介质片中的每一个上印刷内电极,并且堆叠介质片,其中通过使吸收元件与每个带有所述内电极的介质片的表面接触,然后将吸收元件与该表面分离以去除具有指定厚度的内电极部分,使形成于每个介质片上的内电极具有约化厚度,并将具有减小厚度的内电极的介质片堆叠起来以形成芯片元件。
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公开(公告)号:CN1794388B
公开(公告)日:2010-06-02
申请号:CN200510124388.7
申请日:2005-11-29
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/232 , H01G4/012 , Y10T29/413 , Y10T29/417 , Y10T29/435
Abstract: 本发明公开了一种多层片状电容器及其制造方法。该电容器包括:电容器器身,具有多个堆叠在其中的介电层;多个第一和第二内电极,形成在介电层上,每个内电极包括主电极部分和导线部分;片保护侧件,形成在电容器器身的两侧上,用于接触第一和第二内电极的两侧;以及一对外电极,形成在电容器器身的外表面上。主电极部分的宽度与介电层的宽度相同,并且导线部分的宽度小于介电层的宽度。
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公开(公告)号:CN1794388A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200510124388.7
申请日:2005-11-29
Applicant: 三星电机株式会社
CPC classification number: H01G4/232 , H01G4/012 , Y10T29/413 , Y10T29/417 , Y10T29/435
Abstract: 本发明公开了一种多层片状电容器及其制造方法。该电容器包括:电容器器身,具有多个堆叠在其中的介电层;多个第一和第二内电极,形成在介电层上,每个内电极包括主电极部分和导线部分;片保护侧件,形成在电容器器身的两侧上,用于接触第一和第二内电极的两侧;以及一对外电极,形成在电容器器身的外表面上。主电极部分的宽度与介电层的宽度相同,并且导线部分的宽度小于介电层的宽度。
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公开(公告)号:CN100490021C
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN200510008630.4
申请日:2005-02-28
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/624 , C04B35/468 , C04B35/62218 , C04B35/62615 , C04B35/6325 , C04B2235/449 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , Y10T428/24926
Abstract: 公开在此的是一种用于超薄电介质陶瓷薄膜的溶胶组合物,和使用其制备的电介质陶瓷和多层陶瓷电容器。由作为主要成分的BaTiO3和辅助成分组成的溶胶组合物,包括具有BaTiO3的金属前体溶液和有机溶剂的聚合物溶胶,和溶解于有机溶剂中以用作辅助成分的有机添加剂,其中,有机添加剂的量相应于电介质陶瓷的辅助成分所需的量。此外,由溶胶凝胶法制备的超薄电介质陶瓷薄膜包括辅助成分,因此,存在这样的优点:使低温烧结成为可能和具有高的介电常数、高烧结密度和符合EIA标准的X5R的TCC特性。
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公开(公告)号:CN100477033C
公开(公告)日:2009-04-08
申请号:CN200410101233.7
申请日:2004-12-15
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01G4/30 , H01G4/12 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/30 , H01G4/1227 , Y10T29/417 , Y10T29/43 , Y10T29/435
Abstract: 本发明涉及一种通过旋转涂布法制造层压陶瓷电容器的方法以及层压陶瓷电容器。该制造方法是通过涂布法形成多个电介质层,从而促使电介质层和内部电极的印刷步骤实现单一化。因此,不仅可以使电介质层的厚度变薄,而且也易于控制厚度。由于电介质层与内部电极连续形成,可以省略电介质层的剥离和层压步骤以及陶瓷层压体的压涂步骤。根据本发明,因为不压涂陶瓷层压体,在层压陶瓷电容器不会发生枕状化现象。
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公开(公告)号:CN1787119A
公开(公告)日:2006-06-14
申请号:CN200510008630.4
申请日:2005-02-28
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/468 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/624 , C04B35/468 , C04B35/62218 , C04B35/62615 , C04B35/6325 , C04B2235/449 , C04B2235/77 , C04B2235/79 , Y10T428/24926
Abstract: 公开在此的是一种用于超薄电介质陶瓷薄膜的溶胶组合物,和使用其制备的电介质陶瓷和多层陶瓷电容器。由作为主要成分的BaTiO3和辅助成分组成的溶胶组合物,包括具有BaTiO3的金属前体溶液和有机溶剂的聚合物溶胶,和溶解于有机溶剂中以用作辅助成分的有机添加剂,其中,有机添加剂的量相应于电介质陶瓷的辅助成分所需的量。此外,由溶胶凝胶法制备的超薄电介质陶瓷薄膜包括辅助成分,因此,存在这样的优点:使低温烧结成为可能和具有高的介电常数、高烧结密度和符合EIA标准的X5R的TCC特性。
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