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公开(公告)号：CN111438442A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201911327438.X
申请日：2019-12-20
Applicant: 三星钻石工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种以优异的品质分割SiC基板的方法以及装置。一种SiC基板的分割方法(装置)，具有：刻划工序(单元)，在所述SiC基板的一个主面通过沿预先确定的预定分割位置以100mm/s至300mm/s的扫描速度一边扫描一边照射激光，从而形成深度为12μm至30μm、宽度为1μm至10μm的剖视呈U字形的槽状的刻划线；裂片工序(单元)，将形成有刻划线的SiC基板以与一个主面相向的另一个主面作为上表面的姿态水平地载置于以规定的间隔分离的一对裂片板上，在该状态下通过使劈刀从SiC基板的上表面侧抵接于预定分割位置，并进一步下压劈刀来使裂纹自刻划线伸展，由此在预定分割位置将SiC基板分割。
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