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公开(公告)号：CN114074229A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110826461.4
申请日：2021-07-21
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明的刻划线形成方法，沿着形成刻划线的加工线照射激光来形成能够容易地切出高品质的基板的刻划线。该刻划线形成方法具有：在基板(S)沿着形成刻划线的加工线，在每个规定的照射周期以规定的照射间隔对基板(S)照射具有规定的光束直径的加工激光(L1)的步骤，加工激光(L1)的照射间隔Xμm与照射周期Yμs满足Y≥6.0X的条件。
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