-
公开(公告)号:CN111618439A
公开(公告)日:2020-09-04
申请号:CN202010107819.3
申请日:2020-02-21
Applicant: 三星钻石工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于,均匀地除去在半导体衬底的切割迹道上呈层叠状形成的包含TEG等金属膜的覆膜,形成刻划线并沿着刻划线切割半导体衬底。本发明提供一种半导体衬底(1)的切割方法,切割半导体衬底(1)来分割元件(2),在所述衬底上呈矩阵状地形成有多个元件(2),在相邻的元件(2)之间设置有切割迹道,所述半导体衬底的切割方法具有:覆膜除去工序,通过使激光(5)平行地对切割迹道上形成的包含金属膜的覆膜进行多次扫描来除去覆膜;刻划工序,使刻划轮的刀刃以压接状态在除去覆膜后的半导体衬底(1)的切割迹道(3)上滚动来形成刻划线;以及断裂工序,沿着刻划线切割半导体衬底(1)从而分割成各个元件(2)。
-
公开(公告)号:CN112008260A
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN202010317119.7
申请日:2020-04-21
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: B23K26/382 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供适于进行对薄板玻璃的开孔加工的方法及装置。该方法具有:第一照射工序,通过沿着开孔对象区域的端缘部一边扫描一边照射波长为800nm~2500nm的第一激光,从而从玻璃板表面起在规定范围形成圆环状的改性区域;第二照射工序,通过与开孔对象区域同轴地且使聚光位置从玻璃板的表面离开规定的距离而散焦地照射波长为9μm~11μm的第二激光,从而使裂纹沿着开孔对象区域的端缘部从改性区域伸展到玻璃板的背面,使开孔对象区域成为被从玻璃板分割了的分割区域;以及除去工序,通过除去分割区域来得到半径(R)的贯通孔,在第二照射工序中,使在玻璃板的第二激光的被照射区域在表面中的半径(r)为开孔对象区域的半径(R)的50%~95%。
-
公开(公告)号:CN116060777A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202211042133.6
申请日:2022-08-29
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: B23K26/364 , B23K26/064
Abstract: 本发明提供一种激光加工方法,对于具有第一层(201)和第一层(201)上的第二层(202)的层叠体(200)选择性地加工第二层(202),该激光加工方法包括:(a)向第二层(202)照射具有第一聚光直径的第一激光,在第二层(202)形成第一槽(G1)的步骤;(b)向第一槽(G1)的内部的第一槽(G1)的中央的两侧分别照射具有比第一聚光直径小的第二聚光直径的第二激光,在第二层(202)形成第二槽(G2)的步骤;以及(c)向第二槽(G2)的内部照射具有比第二聚光直径大的第三聚光直径的第三激光,在第二层(202)形成第三槽(G3)的步骤。本发明在层叠体的选择性加工中能够实现锥度小的激光加工。
-
公开(公告)号:CN112299695A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010641872.1
申请日:2020-07-06
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: C03B29/00
Abstract: 本发明提供一种以简单的方法且同时对玻璃基板的两面的边缘进行倒角的倒角方法和倒角装置。一种玻璃基板的倒角方法,对玻璃基板照射激光来对基板端部进行的倒角,从玻璃基板端部的第一主面侧将CO脉冲激光以聚光(散焦)在从第一主面朝向法线方向外侧偏离了规定距离的位置处的方式进行照射同时沿玻璃基板端部进行扫描,对玻璃基板端部的第一主面侧以及与第一主面相反的第二主面侧的边缘同时进行熔融倒角。
-
公开(公告)号:CN112299700A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202010641310.7
申请日:2020-07-06
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: C03B33/09
Abstract: 本发明提供一种不需要进行折断,而是沿着包含曲线部分的预定切割线切割玻璃基板的方法及装置。在玻璃基板的端部形成遍及所述玻璃基板的整个厚度的初始龟裂,沿着从所述初始龟裂延伸的预定切割线一边对所述玻璃基板的表面照射CO激光一边进行扫描,使遍及所述玻璃基板的整个厚度的龟裂从所述初始龟裂沿着所述预定切割线发展,从而切割所述玻璃基板。
-
公开(公告)号:CN111747637A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN202010139880.6
申请日:2020-03-03
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: C03B33/02 , C03B33/033 , C03B33/04 , C03B33/07 , B23K26/362 , B23K26/364 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供一种贴合基板(W)的部分冲裁加工方法及装置,所述方法具有:通过沿第一基板(W1)的第一被冲裁部分(31)的轮廓照射激光来形成由在厚度方向整个区域形成的加工痕迹构成的第一刻划线(S1)的步骤;通过沿第二基板(W2)的第二被冲裁部分(32)的轮廓照射激光来形成以包围第一刻划线的方式形成在外侧且由在厚度方向整个区域形成的加工痕迹构成的第二刻划线(S2)的步骤;在使第一基板处于上侧的状态下通过从上方将冲裁构件(47)按压到第一基板的第一被冲裁部分来将第一基板的第一被冲裁部分和第二基板的第二被冲裁部分冲裁的步骤。在利用激光沿规定的轮廓裁掉而除去轮廓内侧部分时使加工后的产品的端面的加工精度提高。
-
公开(公告)号:CN114074229A
公开(公告)日:2022-02-22
申请号:CN202110826461.4
申请日:2021-07-21
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: B23K26/38 , B23K26/402
Abstract: 本发明的刻划线形成方法,沿着形成刻划线的加工线照射激光来形成能够容易地切出高品质的基板的刻划线。该刻划线形成方法具有:在基板(S)沿着形成刻划线的加工线,在每个规定的照射周期以规定的照射间隔对基板(S)照射具有规定的光束直径的加工激光(L1)的步骤,加工激光(L1)的照射间隔Xμm与照射周期Yμs满足Y≥6.0X的条件。
-
-
-
-
-
-