公开(公告)号：CN110176396B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201910087138.2

申请日：2019-01-29

Applicant: 三星钻石工业株式会社

Inventor： 村上健二 ,  田村健太 ,  荣田光希 ,  武田真和

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够对带有焊锡球的基板适合地进行切断的切断装置。本发明是将在一个主表面设置有多个焊锡球的带有焊锡球的基板沿着设置在该一个主表面的槽部切断的装置，具有：载物台，其以一个主表面一侧为上侧的方式将基板以水平姿态载置；以及，切断板，其以一个端部具有的刀刃成为下端部的垂直姿态而升降自由地设置，从使刀刃抵接于槽部的状态起，通过朝向基板压入切断板，从而在槽部的形成位置对基板进行切断，在切断板中，包含刀刃的刃部从具有规定的厚度的基部的一个端部延伸而成并且设置为比基部宽度窄，刃部的厚度比压入切断板时的槽部的剖面中心与焊锡球的距离的最小值的2倍小。

公开(公告)号：CN110197811A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201910122464.2

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星钻石工业株式会社

Inventor： 田村健太 ,  武田真和 ,  村上健二 ,  荣田光希

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种能够在防止形成于晶片表面的Low-k膜的剥离的同时可靠地对晶片进行分割的方法。沿着预先划定的切割迹道对带有Low-k膜的晶片进行分割的方法具有：工序a，通过激光束的照射，在硅基板的内部沿着切割迹道形成变质区域；工序b，对经过工序a的带有Low-k膜的晶片的硅基板进行研磨，使变质区域作为刻划线而露出；工序c，通过从Low-k膜的一侧沿着刻划线使切断板抵接于经过工序b的带有Low-k膜的晶片，从而对带有Low-k膜的晶片进行切断；以及工序d，通过对经过工序c的带有Low-k膜的晶片进行扩展处理，从而使带有Low-k膜的晶片的被切割迹道区划的部分相互分离。

公开(公告)号：CN110176396A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910087138.2

申请日：2019-01-29

Applicant: 三星钻石工业株式会社

Inventor： 村上健二 ,  田村健太 ,  荣田光希 ,  武田真和

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够对带有焊锡球的基板适合地进行切断的切断装置。本发明是将在一个主表面设置有多个焊锡球的带有焊锡球的基板沿着设置在该一个主表面的槽部切断的装置，具有：载物台，其以一个主表面一侧为上侧的方式将基板以水平姿态载置；以及，切断板，其以一个端部具有的刀刃成为下端部的垂直姿态而升降自由地设置，从使刀刃抵接于槽部的状态起，通过朝向基板压入切断板，从而在槽部的形成位置对基板进行切断，在切断板中，包含刀刃的刃部从具有规定的厚度的基部的一个端部延伸而成并且设置为比基部宽度窄，刃部的厚度比压入切断板时的槽部的剖面中心与焊锡球的距离的最小值的2倍小。