等离子体显示面板及其制造方法

    公开(公告)号:CN101807502A

    公开(公告)日:2010-08-18

    申请号:CN201010002359.4

    申请日:2010-01-11

    Abstract: 一种等离子体显示面板(PDP)及其制造方法,具有改进的发光效率。该PDP包括:第一基板;面对所述第一基板的第二基板;位于所述第一基板与所述第二基板之间并沿第一方向延伸的多个维持电极对;位于所述第二基板上并沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多个寻址电极;位于所述第二基板上的用于覆盖所述寻址电极的第一介电层;位于所述第一介电层上的放电增强层;位于所述放电增强层上并限定所述第一基板与所述第二基板之间的放电室的多个障肋;以及在所述放电室中的荧光粉层,其中所述放电增强层在每个放电室中都具有开口,并且其中所述障肋的粗糙度小于所述放电增强层的粗糙度。

    电子发射装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100342472C

    公开(公告)日:2007-10-10

    申请号:CN200510065639.9

    申请日:2005-02-28

    CPC classification number: H01J3/022

    Abstract: 一种电子发射装置,包括在基板上形成的栅电极。该栅电极位于第一平面。绝缘层在栅电极上形成。阴极在绝缘层上形成。电子发射区域与阴极电连接。该电子发射区域位于第二平面。此外,电子发射装置包括基本位于电子发射区域的第二平面的反电极。栅电极和反电极用于接收相同的电压,在至少一个电子发射区域和至少一个反电极之间的距离D满足如下条件:1(μm)≤D≤28.1553+1.7060t(μm),其中t表示绝缘层的厚度。

    电子发射显示装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1913092A

    公开(公告)日:2007-02-14

    申请号:CN200610104056.7

    申请日:2006-07-31

    CPC classification number: H01J31/127 H01J29/32 H01J29/481

    Abstract: 本发明公开一种能获得高效率的电子发射显示装置。在一个实施例中,该电子发射显示装置包括第一基板,面向该第一基板的第二基板,形成在第一基板上的电子发射单元,和在第二基板上具有图案化荧光层的发光单元。在这个实施例中,当从电子发射单元发射并且落在荧光层上的电子束的电子束斑的面积由A表示,并且对应该电子束斑的荧光层的面积由B表示时,面积A与面积B满足:0.9≤A/B≤1.4。

    电子发射装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1841638A

    公开(公告)日:2006-10-04

    申请号:CN200610073823.2

    申请日:2006-03-31

    Abstract: 本发明提供了一种电子发射装置包括第一衬底;面向第一衬底并与第一衬底分隔开的第二衬底;在第一衬底上的电子发射单元,电子发射单元具有至少两个电极和用于发射电子的发射区;和在第二衬底上将通过由电子形成的束激发的光发射单元。电子发射单元包括用于聚焦所述束的聚焦电极。光发射单元包括在其上像素设置成图案的屏幕。每个像素具有荧光层。像素之一的荧光层通过所述束激发。所述聚焦电极包括开口,所述束通过所述开口。开口的长度是LV、像素的节距是PV,且LV和PV满足:0.25≤LV/PV≤0.60。

    电子发射装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1661758A

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:CN200510054252.3

    申请日:2005-02-25

    CPC classification number: H01J29/467 H01J31/127

    Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置,尤其涉及一种包含格栅极的电子发射装置,该格栅极具有在电子发射装置的第一和第二基板的热膨胀系数的大约80%到大约120%的范围内的热膨胀系数。通过使由格栅极和电子发射装置的第一及第二基板之间的热膨胀系数的差异引起的未对准最小化,格栅极固定于适当位置。格栅极还能使弧光放电的产生最小化。然而,即使产生了弧光放电,格栅极也能够阻止弧光放电对阴极和栅极的损坏。根据本发明,通过在阳极上施加增大的电压,易于实现具有增高的亮度和分辨率的电子发射装置。

    电子发射装置
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100341102C

    公开(公告)日:2007-10-03

    申请号:CN200510054252.3

    申请日:2005-02-25

    CPC classification number: H01J29/467 H01J31/127

    Abstract: 本发明涉及一种电子发射装置,尤其涉及一种包含格栅极的电子发射装置,该格栅极具有在电子发射装置的第一和第二基板的热膨胀系数的大约80%到大约120%的范围内的热膨胀系数。通过使由格栅极和电子发射装置的第一及第二基板之间的热膨胀系数的差异引起的未对准最小化,格栅极固定于适当位置。格栅极还能使弧光放电的产生最小化。然而,即使产生了弧光放电,格栅极也能够阻止弧光放电对阴极和栅极的损坏。根据本发明,通过在阳极上施加增大的电压,易于实现具有增高的亮度和分辨率的电子发射装置。

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