公开(公告)号：CN1638008A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410098249.7

申请日：2004-11-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  安德烈·朱卡尼伊夫

IPC: H01J29/46 ,  H01J1/30 ,  H01J31/12 ,  H01J9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01J3/022 ,  H01J9/025 ,  H01J29/481 ,  H01J2201/30469 ,  H01J2329/00 ,  Y10S977/939

Abstract: 本发明公开一种场发射器件、采用该器件的显示器及其制造方法。该场发射器件，包括：玻璃衬底；形成在玻璃衬底上的发射器电极；形成在发射器电极上的碳纳米管(CNT)发射器；以及，绕CNT发射器形成的栅极叠层，其从CNT发射器提取电子束，并将提取出的电子束聚焦到给定位置。所述栅极叠层包括：覆盖所述发射器电极的掩膜层，其绕CNT发射器形成；形成在所述掩膜层并具有预定高度的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层的倾斜面上的镜面电极；形成在所述栅极绝缘层上并且与所述镜面电极间隔开的栅极；以及，顺序形成在所述栅极上的聚焦栅极绝缘层和聚焦栅极。