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公开(公告)号：CN105448620B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410327650.7
申请日：2014-07-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0272 , H01J2203/028 , H01J2203/0284 , H01J2203/0288 , Y10S977/742 , Y10S977/939
Abstract: 一种场发射阴极，包括：微通道板，该微通道板绝缘且具有多个开孔，该微通道板具有一第一表面以及一与该第一表面相对的第二表面，每个所述开孔贯穿所述第一表面和第二表面；阴极电极，该阴极电极设置于所述微通道板的第一表面；以及阴极发射体，该阴极发射体对应多个所述开孔设置且与所述阴极电极电连接；其特征在于，每个所述开孔内设置有多个所述阴极发射体，该多个阴极发射体相互连接并固定于所述开孔内壁，该多个阴极发射体包括多个碳纳米管，至少部分碳纳米管的一端悬空设置作为场发射端。
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公开(公告)号：CN103730304B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210380926.9
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环，所述导电环两端具有相对的两环面，形成一场发射电子源预制体；将所述多个场发射电子源预制体并排对齐设置，形成一场发射电源阵列预制体；切割所述场发射电子源阵列预制体，使所述每一碳纳米管线状结构从切割形成的断口处暴露出来，形成多个场发射电子源。
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公开(公告)号：CN103730302B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201210380870.7
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/3042 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01J1/304 , H01J3/021 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212 , H01J2329/0455 , H01J2329/4608
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源，所述场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环，其中，所述碳纳米管线状结构及绝缘层同轴设置，所述绝缘层设置于所述碳纳米管线状结构的表面，所述导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面，所述导电环靠近碳纳米管线状结构端部的一环面与该碳纳米管线状结构的该端部平齐。
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公开(公告)号：CN103730303B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201210381735.4
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J3/021 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源阵列，包括多个场发射电子源并排设置，其中，每一场发射电子源包括一碳纳米管线状结构、一绝缘层以及至少一导电环同轴设置，所述绝缘层贴附于所述碳纳米管线状结构的表面，所述至少一导电环设置于所述碳纳米管线状结构至少一端部的绝缘层外表面，所述多个场发射电子源的所述导电环彼此电连接。
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公开(公告)号：CN105575743A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510962705.6
申请日：2006-04-25
Applicant: 斯莫特克有限公司
Inventor： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔
IPC: H01J1/304 , H01J3/02 , H01J9/02 , C01B31/02 , C23C16/04 , C23C16/26 , D01F9/08 , D01F9/127 , H01L51/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC classification number: C23C16/04 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/34 , C01B2202/36 , C23C16/26 , D01F9/08 , D01F9/127 , H01J1/304 , H01J3/022 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2237/31786 , H01L51/0003 , H01L51/0048 , H01L51/0512
Abstract: 本发明提供了一种在金属基底上生长纳米结构的方法及其制造方法。根据本方法生长的纳米结构适合于制造如电子束直写机之类的电子器件或者场致发射显示器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105358062A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480034690.0
申请日：2014-07-03
Applicant: 筑波科技株式会社
CPC classification number: A61B6/542 , A61B6/40 , A61B6/4405 , A61B6/56 , A61B6/587 , G01T1/02 , G01T7/00 , H01J35/065 , H01J2201/30469 , H01J2235/062 , H05G1/36
Abstract: 一种医疗用小型X射线拍摄装置，是便携式的、可确保低辐射的同时并能够拍摄出清晰的X射线图像的X射线拍摄装置，所述装置包括：碳纳米结构三极式冷阴极X射线管，其发射X射线；X射线图像传感器，其拍摄透过患者的X射线图像；用于检测X射线照射量的第1检测器，其配置于所述碳纳米结构三极式冷阴极X射线管与所述X射线图像传感器之间，且位于照射到X射线图像传感器的X射线有效拍摄区域以外的所述X射线照射范围内；用于检测X射线量的第2检测器，其配置于所述X射线图像传感器框架的一个侧面的中央位置；用于检测X射线量的第3检测器，其配置于所述X射线图像传感器框架的一个侧面，与所述第2检测器相向，并与所述第2检测器夹着所述X射线图像传感器的检测面；电源，其向碳纳米结构三极式冷阴极X射线管的阴极和阳极，分别提供负的和正的高电压脉冲；X射线拍摄控制装置，其获取所述第1检测器、所述第2检测器、所述第3检测器的检测数据、以及从所述碳纳米结构三极式冷阴极X射线管至所述X射线图像传感器之间的距离信息，计算出X射线的照射量和衰减量，确定对患者的最合适X射线量以及碳纳米结构三极式冷阴极X射线管的电压，X射线拍摄控制装置还具有反馈控制，用于控制碳纳米结构三极式冷阴极X射线管的高电压脉冲的脉冲数、脉冲宽度、阴极和阳极的电压。
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公开(公告)号：CN104584178A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201380045316.6
申请日：2013-08-12
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 同和控股(集团)有限公司
CPC classification number: H01J63/06 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J31/127 , H01J63/02 , H01J2201/30469 , H01J2329/0455 , Y10T428/24479 , Y10T428/24612
Abstract: [课题]提供可利用低电力工作并且亮度的发光面内均匀性高的场致电子发射膜和使用其的场致电子发射元件、发光元件及其制造方法。[解决手段]场致电子发射膜，其为包含60～99.9质量％的锡掺杂的铟氧化物和0.1～20质量％的碳纳米管的场致电子发射膜，并具有如下结构：在所述膜的表面，以每1mm2总延长2mm以上形成宽度为0.1～50μm范围的槽，在所述槽的壁面露出碳纳米管。在基板上形成含有碳纳米管的ITO膜之后，在ITO膜的表面形成槽，将在该槽的壁面露出的碳纳米管的端部设为发射体。
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公开(公告)号：CN103730304A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210380926.9
申请日：2012-10-10
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J9/02
CPC classification number: H01J1/304 , H01J3/021 , H01J9/025 , H01J2201/30469 , H01J2203/0212
Abstract: 本发明提供一种场发射电子源阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一碳纳米管线状结构；在所述碳纳米管线状结构的表面包覆一绝缘层；在所述绝缘层的表面间隔设置多个导电环，所述导电环两端具有相对的两环面，形成一场发射电子源预制体；将所述多个场发射电子源预制体并排对齐设置，形成一场发射电源阵列预制体；切割所述场发射电子源阵列预制体，使所述每一碳纳米管线状结构从切割形成的断口处暴露出来，形成多个场发射电子源。
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公开(公告)号：CN103367073A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210087160.5
申请日：2012-03-29
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
IPC: H01J1/304
CPC classification number: H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 一种碳纳米管场发射体，包括多个碳纳米管束，每个碳纳米管束具有相对的第一端和第二端，且每个碳纳米管束包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管通过范德华力首尾相连，且沿着该每个碳纳米管束的延伸方向定向排列，该多个碳纳米管束的第一端汇聚成一碳纳米管线，作为支撑部；该多个碳纳米管束沿着第一端与第二端之间的部分由所述支撑部向周围呈扇形发散，形成电子发射部；所述多个碳纳米管束中相邻的碳纳米管束之间具有间隙，该间隙从碳纳米管束的第一端至碳纳米管束的第二端逐渐增大。
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公开(公告)号：CN103354223A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310220391.3
申请日：2006-08-28
Applicant: 斯莫特克有限公司
Inventor： 穆罕默德·沙菲奎尔·卡比尔
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/532
CPC classification number: B82Y30/00 , B01J23/755 , B01J23/76 , B82Y10/00 , D01F9/08 , D01F9/127 , H01B1/04 , H01J1/304 , H01J2201/30469 , H01L21/76876 , H01L21/76885 , H01L23/53276 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L2221/1089 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了在导电或绝缘基底上生长的纳米结构，及其生长方法。根据权利要求的方法生长的纳米结构适用于电子器件的互连线和/或散热器。
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