公开(公告)号：CN1368749A

公开(公告)日：2002-09-11

申请号：CN01124365.1

申请日：2001-07-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金润昶 ,  朱圭楠 ,  徐东昀 ,  申浮澈

IPC: H01J1/146 ,  H01J1/20 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/20

Abstract: 提供了一种用于电子管的间接加热式金属阴极,其包括由钼材料或钼基合金材料形成的套筒;配置在套筒上主要为铂或钯的金属发射体;以及在套筒和金属发射体之间、最好是一层薄涂层的缓冲层,在套筒表面形成的薄涂层防止了钼、即套筒的一种元素、在金属阴极操作过程中扩散进入发射体,从而也防止了操作时间增长时电子发射体性能的降低,这是由于操作中功函的增加不会发生。因此,这种阴极满足了大规模和高分辨力电子管的长期使用的需要。

公开(公告)号：CN1293588C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN01124365.1

申请日：2001-07-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金润昶 ,  朱圭楠 ,  徐东昀 ,  申浮澈

IPC: H01J1/146 ,  H01J1/20 ,  H01J29/04

CPC classification number: H01J1/20

Abstract: 提供了一种用于电子管的间接加热式金属阴极，其包括由钼材料或钼基合金材料形成的套筒；配置在套筒上主要为铂或钯的金属发射体；以及在套筒和金属发射体之间、最好是一层薄涂层的缓冲层，在套筒表面形成的薄涂层防止了钼、即套筒的一种元素、在金属阴极操作过程中扩散进入发射体，从而也防止了操作时间增长时电子发射体性能的降低，这是由于操作中功函的增加不会发生。因此，这种阴极满足了大规模和高分辨力电子管的长期使用的需要。