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公开(公告)号：CN1293588C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN01124365.1
申请日：2001-07-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/20
Abstract: 提供了一种用于电子管的间接加热式金属阴极，其包括由钼材料或钼基合金材料形成的套筒；配置在套筒上主要为铂或钯的金属发射体；以及在套筒和金属发射体之间、最好是一层薄涂层的缓冲层，在套筒表面形成的薄涂层防止了钼、即套筒的一种元素、在金属阴极操作过程中扩散进入发射体，从而也防止了操作时间增长时电子发射体性能的降低，这是由于操作中功函的增加不会发生。因此，这种阴极满足了大规模和高分辨力电子管的长期使用的需要。
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公开(公告)号：CN100437873C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN02124900.8
申请日：2002-06-24
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种用于电子管的阴极，包括金属基体和涂敷在金属基体上的电子发射材料层，其中电子发射材料层含有针状导电材料，相应于在电子发射材料层的表面上的最高点和最低点之间的距离的表面粗糙度被控制在10微米以下。在电子发射材料层中含有针状导电材料，以便有效地形成导电通路，从而减少由于电子发射材料层的自发热而产生的焦耳热。此外，电子发射材料层的颗粒和孔的尺寸也被均匀地控制，和由喷涂方法制备的常规阴极相比，可以改善阴极的密度和平面性。因而，在阴极操作期间，可以阻止阴极的收缩，因而可以维持阴极和第一栅极之间的距离的均匀性，从而改善寿命特性，并使得具有稳定的发射特性。
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公开(公告)号：CN1393903A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：CN02124900.8
申请日：2002-06-24
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 一种用于电子管的阴极，包括金属基体和涂敷在金属基体上的电子发射材料层，其中电子发射材料层含有针状导电材料，相应于在电子发射材料层的表面上的最高点和最低点之间的距离的表面粗糙度被控制在10微米以下。在电子发射材料层中含有针状导电材料，以便有效地形成导电通路，从而减少由于电子发射材料层的自发热而产生的焦耳热。此外，电子发射材料层的颗粒和孔的尺寸也被均匀地控制，和由喷涂方法制备的常规阴极相比，可以改善阴极的密度和平面性。因而，在阴极操作期间，可以阻止阴极的收缩，因而可以维持阴极和第一栅极之间的距离的均匀性，从而改善寿命特性，并使得具有稳定的发射特性。
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公开(公告)号：CN1368749A
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN01124365.1
申请日：2001-07-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/20
Abstract: 提供了一种用于电子管的间接加热式金属阴极,其包括由钼材料或钼基合金材料形成的套筒;配置在套筒上主要为铂或钯的金属发射体;以及在套筒和金属发射体之间、最好是一层薄涂层的缓冲层,在套筒表面形成的薄涂层防止了钼、即套筒的一种元素、在金属阴极操作过程中扩散进入发射体,从而也防止了操作时间增长时电子发射体性能的降低,这是由于操作中功函的增加不会发生。因此,这种阴极满足了大规模和高分辨力电子管的长期使用的需要。
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