公开(公告)号：CN1671260A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200510055131.0

申请日：2005-03-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 陈炳斗 ,  金茂显 ,  李城宅 ,  杨南喆 ,  徐旼徹 ,  段练

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  C09K11/06

CPC classification number: H05B33/14 ,  C09K11/06 ,  C09K2211/1007 ,  C09K2211/1011 ,  H01L51/0035 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5036 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明提供白色发光有机电致发光器件和含有该器件的有机电致发光显示器，该有机电致发光显示器包括第一电极、第二电极以及介于第一电极和第二电极之间的发射层。该发射层具有在其中叠层有聚合物发射层和小分子发射层的结构。

公开(公告)号：CN1832220A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610056757.8

申请日：2006-03-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼徹 ,  具在本

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/40 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L27/15

Abstract: 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，能提高有机半导体层的图案化精度并简化图案化工艺。该方法包括在基板上形成有机绝缘薄膜和在该有机绝缘薄膜中形成具有第一和第二凹入部分以及第三凹入部分的梯段，该第三凹入部分形成在第一和第二凹入部分上。该方法进一步包括在第一和第二凹入部分中形成源电极和漏电极和在第三凹入部分中形成有源层，有源层接触源电极和漏电极。

公开(公告)号：CN1773717A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200510116879.7

申请日：2005-10-27

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  徐旼徹 ,  具在本

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/10 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/40 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了一种具有有机薄膜晶体管(OTFT)的有机场致发光显示装置和构造该装置的方法。通过将有机绝缘层用作栅极绝缘层并且将无机绝缘层用作电容器介质，显示装置可保持TFT的绝缘性质同时确保足够的电容。在一个实施例中，有机场致发光显示装置包括：衬底，具有电容器区域和晶体管区域；TFT，形成在衬底的晶体管区域内并具有栅极、有机半导体层、源极和漏极；电容器，形成在衬底的电容器区域内并具有下电极和上电极；显示元件，连接到TFT源/漏极的一个。在一个实施例中，形成在TFT的栅极下面或形成在栅极上的栅极绝缘层至少包括有机绝缘层，电容器的上电极和下电极之间的电容器介质包括无机绝缘层。

公开(公告)号：CN1665359A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200410075766.2

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 陈炳斗 ,  金茂显 ,  李城宅 ,  杨南喆 ,  徐旼徹 ,  权章赫

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/12 ,  H05B33/20 ,  C09K11/06

CPC classification number: H01L51/504 ,  H01L27/322 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/5016 ,  H01L51/5036

Abstract: 提供了一种发白光的有机电致发光装置和具有该装置的有机电致发光显示器。有机电致发光装置包括第一电极，第二电极，和置于第一电极和第二电极之间的发光层，该发光层具有荧光层和磷光层。由此，可以获得亮度产率提高的发白光的有机电致发光装置。

公开(公告)号：CN1662126A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200410082069.X

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金茂显 ,  陈炳斗 ,  徐旼徹 ,  杨南喆 ,  李城宅

IPC: H05K7/20 ,  H05B33/12 ,  H05B33/02 ,  G12B15/06

CPC classification number: B41M5/42 ,  B41M5/443 ,  B41M2205/06 ,  B41M2205/12 ,  B41M2205/38 ,  H01L51/0013

Abstract: 一种热转移元件，因为转移可以在低温下执行所以能够提高转移特性。该热转移元件，包括：作为支撑衬底的底部衬底；形成在底部衬底上以将入射光转换为热能的光－热转换层；形成在光－热转换层上以形成图像的转移层；以及形成在底部衬底和光－热转换层之间以便于光－热转换层从底部衬底分层的释放层。该释放层包括具有25 EC或更小的玻璃化转化温度(Tg)的硅聚合物。在进一步的实施例中，该热转移元件包括隔层，其形成在光－热转换层和转移层之间以保护光－热转换层。