场发射器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1691243A

    公开(公告)日:2005-11-02

    申请号:CN200510068928.4

    申请日:2005-04-27

    CPC classification number: H01J3/022 B82Y10/00 H01J1/3042 H01J2201/30469

    Abstract: 本发明提供一种场发射器件。所提供的场发射器件包括形成在阴极电极上并包括碳纳米管(CNT)的发射极,以及从发射极引出电子的栅极电极。另外,RuOx层或PdOx层涂覆在发射极表面上,从而保护CNT并稳定来自CNT的发射。在所提供的场发射器件中,用于稳定发射结构并保护发射端的稳定剂层涂覆在CNT发射极的表面上或CNT的表面上,更具体地即CNT的发射端上,从而防止由过电流或发射过程导致的CNT的磨损。因此,CNT的寿命提高,从而改善了场发射器件的可靠性和场发射器件的质量。

    制备纳米线的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1696358A

    公开(公告)日:2005-11-16

    申请号:CN200510067231.5

    申请日:2005-04-19

    Abstract: 本发明提供了一种使用晶体结构制备纳米线的方法。在该制备纳米线的方法中,使用具有多个晶面的晶粒作为籽晶,在所述晶粒上沉积晶格常数差异在预定范围之内的晶体生长材料,由此允许从至少一个晶面上生长纳米线。所以,使用晶体生长原理通过简单的方法可以产生位置选择性,并且产生具有好结晶度的比如纳米线等的纳米结构。此外,通过调节用作籽晶的晶粒的特征可以产生具有不同形状的异质结结构。

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