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公开(公告)号：CN1430241A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02143190.6
申请日：2002-09-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J2201/304 , Y10S977/952
Abstract: 本发明提供了一种场致发射显示器，其包括第一衬底；以预定图案形成在第一衬底上的多个栅极电极；形成为在第一衬底的整个表面上覆盖栅极电极的绝缘层；以预定图案形成在绝缘层上的多个阴极电极，多个发射器形成在阴极电极上；在距发射器预定距离处形成在绝缘层上并处于电连接栅极电极的状态下的多个反电极，反电极形成指向发射器的电场；在距离第一衬底预定距离处设置并与第一衬底一起密封成真空状态的第二衬底；形成在第二衬底的与第一衬底相对的表面上的阳极电极；以及以预定图案形成在阳极电极上的多个荧光粉层。
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公开(公告)号：CN100547713C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200410035278.9
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1530997A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：CN200410035278.9
申请日：2004-02-12
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , H01J1/304 , H01J9/025 , H01J2201/30469
Abstract: 本发明提供一种制造场发射器件的方法。在该方法中，发射体使用浮脱工艺形成，隔离层形成在用于对发射体构图的牺牲层和发射体材料之间。该隔离层防止牺牲层与发射体材料起反应，以有助于浮脱工艺。因此，可以获得均匀发射具有高亮度的光的场发射器件。
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公开(公告)号：CN1728323A
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN200510083634.9
申请日：2005-07-13
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金维钟
CPC classification number: H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 一种电子发射器件，其包括彼此相对的第一和第二基板，形成于第一基板上的阴极电极，和形成于阴极电极上的电子发射区。在所述阴极电极上形成栅极电极，在二者之间插入第一绝缘层。在第一绝缘层上和栅极电极上形成聚焦电极，在它们之间插入第二绝缘层。第一绝缘层、栅极电极、第二绝缘层和聚焦电极均具有暴露位于第一基板上的电子发射区的开口。其中，在与第一绝缘层相对的第二绝缘层的表面上一点处测得的开口尺寸小于栅极电极的开口尺寸。
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公开(公告)号：CN1702803A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510078366.1
申请日：2005-04-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J1/304 , H01J1/316 , H01J9/022 , H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 本发明公开了一种电子发射器件的阴极衬底，其包括衬底、形成在该衬底上的电子发射区、以及用于控制从该电子发射区发射的电子的一个或多个驱动电极。第一绝缘层接触该驱动电极。该阴极衬底中配置有聚焦电极，其用于聚集从电子发射区发出的电子。第二绝缘层位于驱动电极和聚焦电极之间。第一绝缘层和第二绝缘层所使用的材料具有不同的蚀刻率。
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公开(公告)号：CN100470712C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510083634.9
申请日：2005-07-13
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金维钟
CPC classification number: H01J29/481 , H01J31/127
Abstract: 一种电子发射器件，其包括彼此相对的第一和第二基板，形成于第一基板上的阴极电极，和形成于阴极电极上的电子发射区。在所述阴极电极上形成栅极电极，在二者之间插入第一绝缘层。在第一绝缘层上和栅极电极上形成聚焦电极，在它们之间插入第二绝缘层。第一绝缘层、栅极电极、第二绝缘层和聚焦电极均具有暴露位于第一基板上的电子发射区的开口。其中，在与第一绝缘层相对的第二绝缘层的表面上一点处测得的开口尺寸小于栅极电极的开口尺寸。
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公开(公告)号：CN1288702C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02143190.6
申请日：2002-09-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01J31/127 , H01J2201/304 , Y10S977/952
Abstract: 本发明提供了一种场致发射显示器，其包括第一衬底；以预定图案形成在第一衬底上的多个栅极电极；形成为在第一衬底的整个表面上覆盖栅极电极的绝缘层；以预定图案形成在绝缘层上的多个阴极电极，多个发射器形成在阴极电极上；在距发射器预定距离处形成在绝缘层上并处于电连接栅极电极的状态下的多个反电极，反电极形成指向发射器的电场；在距离第一衬底预定距离处设置并与第一衬底一起密封成真空状态的第二衬底；形成在第二衬底的与第一衬底相对的表面上的阳极电极；以及以预定图案形成在阳极电极上的多个荧光粉层。
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