公开(公告)号：CN1290055A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00130582.4

申请日：2000-09-27

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 广山良治 ,  野村康彦 ,  古沢浩太郎 ,  竹内邦生 ,  冈本重之

IPC: H01S5/00

CPC classification number: H01S5/2231 ,  H01S5/2205 ,  H01S5/221 ,  H01S5/222 ,  H01S5/2227 ,  H01S2301/18

Abstract: 本发明揭示一种半导体激光器件及其制造方法,其特征是脊部侧面与该脊部下部形成的倾斜角度θ为70°以上、117°以下,p型包层由Alx1Ga1－x1As构成,第1电流阻档层由Alx2Ga1－x2As构成,发光层与第1电流阻挡层间的距离t满足关系式t≤0.275/(1－(X2－X1))μm,脊部下部宽度W为2μm以上、5μm以下。具有在提高激光输出的同时可抑制激光水平散布角减小且水平散布角调整容易的优点。

公开(公告)号：CN100344798C

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN03108341.2

申请日：2003-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森和思 ,  松本光晴 ,  富永浩司 ,  田尻敦志 ,  古沢浩太郎

IPC: C25D11/02 ,  C03C17/27 ,  G02B1/10 ,  G02B5/18

CPC classification number: G02B5/1809 ,  G02B5/1857

Abstract: 本发明涉及具有良好的光栅槽等精细结构的元件的制造方法。具有这种精细结构的元件的制造方法包括：在基板上形成金属层的工序；在金属层表面上形成凹部点阵的工序；将形成有凹部点阵的金属层表面在与阴极面相对的状态下进行阳极氧化、形成具有线状光栅槽图案的金属氧化膜的工序。因此，如果使点阵的各凹部之间的间隔变小，就能容易地自组织化地形成具有大的深度、并且深度方向上槽宽均匀的线状光栅槽图案。

公开(公告)号：CN1446772A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03108341.2

申请日：2003-03-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 森和思 ,  松本光晴 ,  富永浩司 ,  田尻敦志 ,  古沢浩太郎

IPC: C03C17/27 ,  C25D11/02 ,  G02B1/10 ,  G02B5/18

CPC classification number: G02B5/1809 ,  G02B5/1857

Abstract: 本发明涉及具有良好的光栅漕等精细结构的元件的制造方法。具有这种精细结构的元件的制造方法包括：在基板上形成金属层的工序；在金属层表面上形成凹部点阵的工序；将形成有凹部点阵的金属层表面在与阴极面相对的状态下进行阳极氧化、形成具有线状光栅漕图案的金属氧化膜的工序。因此，如果使点阵的各凹部之间的间隔变小，就能容易地自组织化地形成具有大的深度、并且深度方向上槽宽均匀的线状光栅漕图案。