有机电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102804440A

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201080028354.7

    申请日:2010-06-21

    Abstract: 本发明提供一种有机电子器件及其制造方法,所述有机电子器件在长期使用时的器件功能不会发生劣化,例如就薄膜有机太阳能电池元件而言,可以抑制发电效率降低。所述有机电子器件依次叠层有:具有至少一对电极的有机半导体元件(B)、包含吸收水分及氧中的至少之一的捕捉剂的层(C)、及阻气膜(D),在所述一对电极中的至少一个电极与所述包含吸收水分及氧中的至少之一的捕捉剂的层(C)之间,具有至少一层防蚀层(E),所述防蚀层(E)的膜厚为20μm以上,所述防蚀层(E)在40℃、90%RH环境下的水蒸气透过率Pe(g/m2/天)相对于阻气膜(D)在40℃、90%RH环境下的水蒸气透过率Pd满足15g/m2/天≥Pe>Pd的条件,且阻气膜(D)的水蒸气透过率Pd满足10-4≤Pd≤10-1g/m2/天的条件。

    有机电子器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN102804440B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201080028354.7

    申请日:2010-06-21

    Abstract: 本发明提供一种有机电子器件及其制造方法,所述有机电子器件在长期使用时的器件功能不会发生劣化,例如就薄膜有机太阳能电池元件而言,可以抑制发电效率降低。所述有机电子器件依次叠层有:具有至少一对电极的有机半导体元件(B)、包含吸收水分及氧中的至少之一的捕捉剂的层(C)、及阻气膜(D),在所述一对电极中的至少一个电极与所述包含吸收水分及氧中的至少之一的捕捉剂的层(C)之间,具有至少一层防蚀层(E),所述防蚀层(E)的膜厚为20μm以上,所述防蚀层(E)在40℃、90%RH环境下的水蒸气透过率Pe(g/m2/天)相对于阻气膜(D)在40℃、90%RH环境下的水蒸气透过率Pd满足15g/m2/天≥Pe>Pd的条件,且阻气膜(D)的水蒸气透过率Pd满足10-4≤Pd≤10-1g/m2/天的条件。

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