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公开(公告)号：CN102834547A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180007492.1
申请日：2011-01-28
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 夏普株式会社
IPC: C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H05K3/067 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。
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公开(公告)号：CN102834547B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201180007492.1
申请日：2011-01-28
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 夏普株式会社
IPC: C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L23/52
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H05K3/067 , H01L2924/00
Abstract: 提供用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻方法。一种用于包括铜层和钛层的多层薄膜的蚀刻液和使用其的蚀刻方法，该蚀刻液含有：(A)过氧化氢、(B)硝酸、(C)氟离子供给源、(D)唑类、(E)季铵氢氧化物和(F)过氧化氢稳定剂，且pH为1.5~2.5。
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公开(公告)号：CN100446236C
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200610006650.2
申请日：2003-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L27/28 , G02F1/1368 , H01L27/3244
Abstract: 一种晶体管阵列，包括：导体线、功能线和晶体管。每个导体线包括芯线和包覆在芯线上的导体层。每条功能线包括至少表面导电的芯线、包覆芯线的绝缘层和包覆绝缘层的半导体层。每条功能线和导体线交叉接触。每个晶体管包括第一欧姆接触区，第一欧姆接触区被定义为导体线之一和功能线之一交叉的区域，它和半导体层欧姆接触。每个晶体管还包括与半导体层欧姆接触的第二欧姆接触区，以及定义第一和第二欧姆接触区之间的半导体层上的沟道区。
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公开(公告)号：CN103348397B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201280006997.0
申请日：2012-02-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00 , C03C15/00 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G09F9/30
CPC classification number: C03C15/00 , G02F1/1333
Abstract: 本发明的修正方法包含：对构成图像显示面板的玻璃基板（12）的缺陷部位（D3）及其周缘部（E3）局部地供给蚀刻剂（20）；使该供给的蚀刻剂保持在上述基板的缺陷部位及其周缘，由此在该缺陷部位及其周缘局部地进行蚀刻，实现上述漫反射的消失或缓和；以及将该蚀刻剂从该供给的部分除去。
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公开(公告)号：CN103348397A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280006997.0
申请日：2012-02-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/00 , C03C15/00 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G09F9/30
CPC classification number: C03C15/00 , G02F1/1333
Abstract: 本发明的修正方法包含：对构成图像显示面板的玻璃基板（12）的缺陷部位（D3）及其周缘部（E3）局部地供给蚀刻剂（20）；使该供给的蚀刻剂保持在上述基板的缺陷部位及其周缘，由此在该缺陷部位及其周缘局部地进行蚀刻，实现上述漫反射的消失或缓和；以及将该蚀刻剂从该供给的部分除去。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1828885A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610006650.2
申请日：2003-03-25
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L23/522
CPC classification number: H01L27/28 , G02F1/1368 , H01L27/3244
Abstract: 一种晶体管阵列，包括：导体线、功能线和晶体管。每个导体线包括芯线和包覆在芯线上的导体层。每条功能线包括至少表面导电的芯线、包覆芯线的绝缘层和包覆绝缘层的半导体层。每条功能线和导体线交叉接触。每个晶体管包括第一欧姆接触区，第一欧姆接触区被定义为导体线之一和功能线之一交叉的区域，它和半导体层欧姆接触。每个晶体管还包括与半导体层欧姆接触的第二欧姆接触区，以及定义第一和第二欧姆接触区之间的半导体层上的沟道区。
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公开(公告)号：CN1272669C
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN03152470.2
申请日：2003-04-15
IPC: G03F7/039 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0007 , G02F1/136227 , G03F7/0233 , G03F7/0757
Abstract: 本发明提供辐射敏感树脂组合物，用该组合物容易高精度形成防水性变化的有图案绝缘膜，使用此组合物形成有图案绝缘膜的方法，使用此组合物的显示单元和平板显示设备，和生产平板显示设备的方法。所述树脂组合物包括特定比例的(A)碱溶性共聚物，(B)1，2-醌二叠氮化物化合物和(C)防水硅氧烷树脂。在有图案绝缘膜的生产方法中，在由树脂组合物形成的涂层上进行形成图案曝光和显影。显示单元和平板显示设备装配有由树脂组合物形成的间层绝缘膜。平板显示设备的生产方法包括间层绝缘膜形成步骤，该步骤包括在曝光中曝光导体层形成区域的形成图案曝光处理，在导体层形成区域的一部分中仅固化表面层部分，和在其它部分中固化在它的厚度方向上的整体，和采用液体材料在间层绝缘膜表面上形成导体层的导体层形成步骤。
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公开(公告)号：CN1260695C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN03107395.6
申请日：2003-03-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/28 , G02F1/1368 , H01L27/3244
Abstract: 一种晶体管阵列，包括：导体线、功能线和晶体管。每个导体线包括芯线和包覆在芯线上的导体层。每条功能线包括至少表面导电的芯线、包覆芯线的绝缘层和包覆绝缘层的半导体层。每条功能线和导体线交叉接触。每个晶体管包括第一欧姆接触区，第一欧姆接触区被定义为导体线之一和功能线之一交叉的区域，它和半导体层欧姆接触。每个晶体管还包括与半导体层欧姆接触的第二欧姆接触区，以及定义第一和第二欧姆接触区之间的半导体层上的沟道区。
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公开(公告)号：CN1447295A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN03107395.6
申请日：2003-03-25
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/28 , G02F1/1368 , H01L27/3244
Abstract: 一种晶体管阵列，包括：导体线、功能线和晶体管。每个导体线包括芯线和包覆在芯线上的导体层。每条功能线包括至少表面导电的芯线、包覆芯线的绝缘层和包覆绝缘层的半导体层。每条功能线和导体线交叉接触。每个晶体管包括第一欧姆接触区，第一欧姆接触区被定义为导体线之一和功能线之一交叉的区域，它和半导体层欧姆接触。每个晶体管还包括与半导体层欧姆接触的第二欧姆接触区，以及定义第一和第二欧姆接触区之间的半导体层上的沟道区。
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公开(公告)号：CN1205504C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN02142050.5
申请日：2002-08-23
IPC: G02F1/136 , G02B6/12 , C03C15/00 , H01L21/3205 , H01L29/786
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/136213 , H01L29/41733 , H01L29/78633
Abstract: 制造具有埋置式结构的基片的方法，包括以下步骤：制备具有主表面的玻璃基片；通过湿法蚀刻工艺在玻璃基片的主表面制成凹槽；和在玻璃基片的主表面沉积第1材料，并用其填充凹槽，制成具有与主表面基本齐平的表面的埋置式结构，制成凹槽的步骤包括：使用包含氢氟酸、氟化铵、和盐酸或草酸的蚀刻剂进行湿法蚀刻工艺。
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