公开(公告)号：CN110890881A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201910837996.4

申请日：2019-09-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑 ,  井上贵公 ,  米山玲 ,  鱼田紫织 ,  村上晴彦

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/567 ,  H03K17/687 ,  H01L25/18

Abstract: 提供可对施加于半导体元件两端的电压的时间变化率(dv/dt)进行调整，进行导通时的控制性和导通损耗的调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备：第一开关区域，其具有第一栅极电极，沟道电流与通过输入至第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制；第二开关区域，其具有第二栅极电极，沟道电流与通过输入至第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制，与第一开关区域并联连接；以及控制部，其向第一、第二栅极电极输出用于使第一、第二开关区域导通的控制信号，控制部在输出第一、第二控制信号而经过了第一规定期间后使第二控制信号的输出停止，在使第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后输出所述第二控制信号。

公开(公告)号：CN103178817B

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201210366646.2

申请日：2012-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 米山玲 ,  冈部浩之 ,  井上贵公 ,  酒井伸次

IPC: H03K17/12 ,  H03K17/08 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L25/18 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12031 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13091 ,  H03K17/08142 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高的冲击电流耐受性的半导体模块。本发明的半导体模块10）具备由宽带隙半导体构成的开关元件（11）和与开关元件（11）反向并联连接的回流二极管12），回流二极管（12）由硅构成并且具有负的温度特性。

公开(公告)号：CN102457163B

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201110223636.9

申请日：2011-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上贵公 ,  折田昭一 ,  玉木恒次

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H02M1/08

Abstract: 本发明涉及驱动电路以及具备该驱动电路的半导体装置，其目的在于提供一种以简易的结构进行开关元件的负偏压驱动的驱动电路以及具备该驱动电路的半导体装置。本发明的驱动电路，搭载于IC芯片，驱动半导体开关元件（4a），其中，具备：电源电路（8），接收从所述IC芯片外部的单一电源供给的第1电压（V1），根据第1电压（V1）生成第2电压（V2），将其施加到半导体开关元件（4a）的基准端子；以及驱动部，根据来自所述IC芯片外部的输入信号，对半导体开关元件（4a）的控制端子施加/不施加第1电压（V1），由此驱动半导体开关元件（4a）。

公开(公告)号：CN102655367A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201110397860.X

申请日：2011-12-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 魚田紫织 ,  井上贵公 ,  玉木恒次 ,  折田昭一

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H03K17/18 ,  H03K17/0828 ,  H03K2217/0027

Abstract: 本发明提供一种功率模块，在利用电阻检测感应电流的情况下，在使用电流镜电路检测感应电流的情况下，都不引起误检测或电流检测精度的下降。电流检测电路（C3）具有发射极连接到IGBT（1）的电流感应元件（ST）的感应发射极的晶体管（Q5）和一端与晶体管（Q5）的集电极连接且另一端与共用连接部（BP）连接的电流检测电阻（SR）、并且将晶体管（Q5）的基极连接到GND，将利用电流检测电阻（SR）产生的以共用连接部（BP）为基准的电位差作为电流检测电压（Vs）进行检测，与预定的阈值电压进行比较，根据两者的大小关系判定过电流是否流过IGBT（1）。

公开(公告)号：CN106531704A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610827463.4

申请日：2016-09-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鱼田紫织 ,  为谷典孝 ,  井上贵公 ,  米山玲

IPC: H01L23/34

Abstract: 寿命推定电路(3)具有：温度检测器(4)，其对功率元件部(1)的温度进行检测；拐点检测部功率元件部(1)的温度变化的拐点进行检测；运算部(8)，其求出本次检测出的拐点处的功率元件部(1)的温度与前次检测出的拐点处的功率元件部(1)的温度之差的绝对值；计数电路(9)，其对温度差的绝对值达到阈值温度(Tth)的次数进行计数；以及信号发生部(10)，其在计数电路(9)的计数值(C)达到阈值次数(Cth)的情况下，输出表示功率元件部(1)的寿命已至的警告信号(AL)。(5)，其基于温度检测器(4)的输出信号(Vt)，对

公开(公告)号：CN103178817A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201210366646.2

申请日：2012-09-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 米山玲 ,  冈部浩之 ,  井上贵公 ,  酒井伸次

IPC: H03K17/12 ,  H03K17/08 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L25/18 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12031 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/13091 ,  H03K17/08142 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高的冲击电流耐受性的半导体模块。本发明的半导体模块（10）具备由宽带隙半导体构成的开关元件（11）和与开关元件（11）反向并联连接的回流二极管（12），回流二极管（12）由硅构成并且具有负的温度特性。

公开(公告)号：CN1825762B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200610055023.8

申请日：2006-02-24

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 上甲基信 ,  福永匡则 ,  谷口信刚 ,  井上贵公 ,  西田信也

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/26 ,  H02M1/00

CPC classification number: H03K17/0828 ,  H01L2924/0002 ,  H03K17/127 ,  H03K17/18 ,  H01L2924/00

Abstract: 在将用于对IGBT(TR1、TR2)进行驱动控制的IPM(3-1、3-2)并联连接而构成的功率用半导体装置中，误差信号通信电路(16-1)按照IPM(3-1)中产生的保护报警信号(F0)等，将通信误差信号发送至IPM(3-2)的误差信号通信电路(16-2)。误差信号通信电路(16-2)接收从误差信号通信电路(16-1)发送的通信误差信号，按照接收到的通信误差信号进行控制，使该IPM(3-2)的驱动控制动作停止。从而，在设有并联连接的多个IPM的功率用半导体装置中，因一个IPM的保护电路动作而使其动作切断时也切断另一个IPM的动作。

公开(公告)号：CN106716622A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201580052629.3

申请日：2015-08-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 菅健一 ,  钓本崇夫 ,  盐田裕基 ,  诸熊健一 ,  折田昭一 ,  为谷典孝 ,  井上贵公 ,  鱼田紫织

IPC: H01L21/822 ,  H01F17/00 ,  H01F19/00 ,  H01F27/32 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01L24/03 ,  G11C11/34 ,  H01F27/2804 ,  H01F27/32 ,  H01F2027/2809 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/62 ,  H01L23/645 ,  H01L25/162 ,  H01L25/18 ,  H04L1/0006 ,  H05K7/1432

Abstract: 使信号传送绝缘设备具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈对置，与第1线圈构成变压器；第1绝缘膜，在对置的第1线圈和第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包围第1线圈，由电阻率比第1电介质低的第2电介质构成；以及第3绝缘膜，包围第2线圈，由电阻率比第1电介质低的第3电介质构成，或者使信号传送绝缘设备具备：第1线圈；第2线圈，与第1线圈对置，与第1线圈构成变压器；第1绝缘膜，在对置的第1线圈和第2线圈之间，由第1电介质构成；第2绝缘膜，包围第1线圈，由介电常数比第1电介质高的第2电介质构成；以及第3绝缘膜，包围第2线圈，由介电常数比第1电介质高的第3电介质构成。

公开(公告)号：CN103268135A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201210466744.3

申请日：2012-11-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 鱼田紫织 ,  井上贵公 ,  玉木恒次 ,  折田昭一

IPC: G05F1/66

CPC classification number: G05F1/66 ,  H02M1/08 ,  H02M1/44 ,  H02M2001/0054 ,  H03K3/012 ,  H03K17/0406 ,  H03K17/162 ,  H03K17/168 ,  H03K2217/0036 ,  Y02B70/1491

Abstract: 本发明涉及功率器件控制电路和功率器件电路。功率器件控制电路（200）向功率器件（100）的栅极端子（100a）输入栅极驱动信号，具备：控制信号输入电路（2），接收用于控制功率器件（100）的功率器件控制信号（1a）；驱动系统控制电路（4），连接于控制信号输入电路（2）；驱动电路（5），具有多个驱动系统（5a、5b、5c），并且从驱动系统控制电路（4）接收驱动电路控制信号（1c）来驱动功率器件（100）；以及定时器电路（3），在输入规定的信号、即功率器件控制信号（1a）之后的一定时间后，根据驱动电路控制信号（1c）切换多个驱动系统（5a、5b、5c），由此使驱动系统控制电路（4）的驱动能力变化。

公开(公告)号：CN102457163A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110223636.9

申请日：2011-08-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 井上贵公 ,  折田昭一 ,  玉木恒次

IPC: H02M1/08

CPC classification number: H02M1/08

Abstract: 本发明涉及驱动电路以及具备该驱动电路的半导体装置，其目的在于提供一种以简易的结构进行开关元件的负偏压驱动的驱动电路以及具备该驱动电路的半导体装置。本发明的驱动电路，搭载于IC芯片，驱动半导体开关元件（4a），其中，具备：电源电路（8），接收从所述IC芯片外部的单一电源供给的第1电压（V1），根据第1电压（V1）生成第2电压（V2），将其施加到半导体开关元件（4a）的基准端子；以及驱动部，根据来自所述IC芯片外部的输入信号，对半导体开关元件（4a）的控制端子施加/不施加第1电压（V1），由此驱动半导体开关元件（4a）。