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公开(公告)号:CN117425958A
公开(公告)日:2024-01-19
申请号:CN202180098962.3
申请日:2021-06-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/36
Abstract: 半导体模块(100)具备半导体芯片(1)、绝缘基板(2)、中继基板(3)以及散热部件(4)。绝缘基板(2)包括主电路图案(21)和绝缘层(22)。主电路图案(21)与半导体芯片(1)电连接。中继基板(3)沿着绝缘层(22)与半导体芯片(1)一起夹着主电路图案(21)的方向与主电路图案(21)一起夹着半导体芯片(1)。中继基板(3)经由半导体芯片(1)与主电路图案(21)电连接。散热部件(4)沿着夹着的方向被绝缘基板(2)和中继基板(3)夹着。主电路图案(21)在绝缘层(22)上至少部分性地包围散热部件(4)。
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公开(公告)号:CN109461710B
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN201811011322.0
申请日:2018-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/40
Abstract: 目的在于提供能够提高产品的安装性的技术。半导体装置在经由一个安装孔(14b、14d)而将螺钉(12)紧固至散热器(1)的状态下,在将主体部(3a)下端与壳体(10)下端的垂直方向的距离设为M,将膨起部(3b)的膨起量设为W,将凸起部(11b)的凸起高度设为T,将从壳体(10)外周端至散热板(3)外周端为止的水平方向的距离设为L时,假想线(B-B’)和假想线(C-C’)所成的角度A满足0<A<arctan((M+W-T)/L),假想线(B-B’)是将2个安装孔(14b、14c)连结的假想线,假想线(C-C’)是将以下两点连结的假想线,即:位于一个安装孔(14b)的周边部处的一个凸起部(11b)的最低点(C);膨起部(3b)与散热器(1)的触点(C’)。
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公开(公告)号:CN115720684A
公开(公告)日:2023-02-28
申请号:CN202080102482.5
申请日:2020-07-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07
Abstract: 功率半导体模块(1)具备多个自灭弧型半导体元件(20a)、印刷布线基板(30)、多个导电接合构件(25a)以及多个导电栅极导线(50a)。印刷布线基板(30)包括绝缘基板(31)、源极导电图案(33)以及栅极导电图案(36)。多个自灭弧型半导体元件(20a)分别包括源极电极(22a)和栅极电极(23a)。源极电极(22a)利用多个导电接合构件(25a)接合于源极导电图案(33)。多个导电栅极导线(50a)将栅极电极(23a)与栅极导电图案(36)相互连接。
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公开(公告)号:CN114730758A
公开(公告)日:2022-07-08
申请号:CN202080079105.4
申请日:2020-11-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07
Abstract: 使绝缘基板小型化并且可抑制连接不良的电力用半导体装置(100)具备绝缘基板(10)、半导体元件(21)和印刷基板(30)。半导体元件(21)接合到绝缘基板(10)的一个主表面。印刷基板(30)以与半导体元件(21)相向的方式接合。在半导体元件(21)中形成主电极(21b)和信号电极(21c)。印刷基板(30)包含芯材(31)、第一导体层(32)和第二导体层(33)。第二导体层(33)具有键合焊盘(33a)。在印刷基板(30)中形成缺失部(36C)。金属柱部(51C)配置为插通缺失部(36C)内并到达绝缘基板(10)。信号电极(21c)和键合焊盘(33a)通过金属导线(90)连接。金属柱部(51C)和绝缘基板(10)接合。
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公开(公告)号:CN110896070B
公开(公告)日:2023-05-02
申请号:CN201910844141.4
申请日:2019-09-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够检测组装后的缓冲用基板的耐压性的技术。半导体装置具备:缓冲用基板(6),其以与P电极(2)以及N电极(3)分离的状态固定于基座(1)之上;缓冲电路(5),其配置于缓冲用基板(6)之上,与P电极(2)以及N电极(3)电连接;以及半导体元件(8),其与缓冲电路(5)电连接。基座(1)包含使P电极(2)、N电极(3)以及缓冲用基板(6)彼此绝缘的绝缘部件。
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公开(公告)号:CN110896070A
公开(公告)日:2020-03-20
申请号:CN201910844141.4
申请日:2019-09-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够检测组装后的缓冲用基板的耐压性的技术。半导体装置具备:缓冲用基板(6),其以与P电极(2)以及N电极(3)分离的状态固定于基座(1)之上;缓冲电路(5),其配置于缓冲用基板(6)之上,与P电极(2)以及N电极(3)电连接;以及半导体元件(8),其与缓冲电路(5)电连接。基座(1)包含使P电极(2)、N电极(3)以及缓冲用基板(6)彼此绝缘的绝缘部件。
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公开(公告)号:CN109461710A
公开(公告)日:2019-03-12
申请号:CN201811011322.0
申请日:2018-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/40
Abstract: 目的在于提供能够提高产品的安装性的技术。半导体装置在经由一个安装孔(14b、14d)而将螺钉(12)紧固至散热器(1)的状态下,在将主体部(3a)下端与壳体(10)下端的垂直方向的距离设为M,将膨起部(3b)的膨起量设为W,将凸起部(11b)的凸起高度设为T,将从壳体(10)外周端至散热板(3)外周端为止的水平方向的距离设为L时,假想线(B-B’)和假想线(C-C’)所成的角度A满足0<A<arctan((M+W-T)/L),假想线(B-B’)是将2个安装孔(14b、14c)连结的假想线,假想线(C-C’)是将以下两点连结的假想线,即:位于一个安装孔(14b)的周边部处的一个凸起部(11b)的最低点(C);膨起部(3b)与散热器(1)的触点(C’)。
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