-
公开(公告)号：CN109461710B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201811011322.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/40
Abstract: 目的在于提供能够提高产品的安装性的技术。半导体装置在经由一个安装孔(14b、14d)而将螺钉(12)紧固至散热器(1)的状态下，在将主体部(3a)下端与壳体(10)下端的垂直方向的距离设为M，将膨起部(3b)的膨起量设为W，将凸起部(11b)的凸起高度设为T，将从壳体(10)外周端至散热板(3)外周端为止的水平方向的距离设为L时，假想线(B－B’)和假想线(C－C’)所成的角度A满足0＜A＜arctan((M+W－T)/L)，假想线(B－B’)是将2个安装孔(14b、14c)连结的假想线，假想线(C－C’)是将以下两点连结的假想线，即：位于一个安装孔(14b)的周边部处的一个凸起部(11b)的最低点(C)；膨起部(3b)与散热器(1)的触点(C’)。
-
公开(公告)号：CN112880850B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202110034188.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。
-
公开(公告)号：CN110364435B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201910669132.6
申请日：2014-10-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。半导体装置包括：第一导电类型的第一基极区域；第二导电类型的第二基极区域；槽部，是以从第二基极区域的表面到达第一基极区域的方式设置的相互平行的至少3个槽部，第一槽部和第三槽部被配置成夹着第二槽部；绝缘膜，覆盖槽部的内壁；导电性的沟槽栅极，填充于绝缘膜上；第一导电类型的发射极区域，在第一槽部与第二槽部之间的第二基极区域中，以与第一槽部相接的方式设置，与发射极电极连接；以及第二导电类型的集电极区域，设置于第一基极区域，埋入于第一、第三槽部的沟槽栅极与栅电极连接，埋入于第二槽部的沟槽栅极与发射极电极连接。
-
公开(公告)号：CN110364435A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910669132.6
申请日：2014-10-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。半导体装置包括：第一导电类型的第一基极区域；第二导电类型的第二基极区域；槽部，是以从第二基极区域的表面到达第一基极区域的方式设置的相互平行的至少3个槽部，第一槽部和第三槽部被配置成夹着第二槽部；绝缘膜，覆盖槽部的内壁；导电性的沟槽栅极，填充于绝缘膜上；第一导电类型的发射极区域，在第一槽部与第二槽部之间的第二基极区域中，以与第一槽部相接的方式设置，与发射极电极连接；以及第二导电类型的集电极区域，设置于第一基极区域，埋入于第一、第三槽部的沟槽栅极与栅电极连接，埋入于第二槽部的沟槽栅极与发射极电极连接。
-
公开(公告)号：CN106062964A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201480076678.6
申请日：2014-10-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/739
Abstract: 功率用半导体装置包括：第一导电类型的第一基极区域；第二导电类型的第二基极区域；槽部，是以从第二基极区域的表面到达第一基极区域的方式设置的相互平行的至少3个槽部，第一槽部和第三槽部被配置成夹着第二槽部；绝缘膜，覆盖槽部的内壁；导电性的沟槽栅极，填充于绝缘膜上；第一导电类型的发射极区域，在第一槽部与第二槽部之间的第二基极区域中，以与第一槽部相接的方式设置，与发射极电极连接；以及第二导电类型的集电极区域，设置于第一基极区域，埋入于第一、第三槽部的沟槽栅极与栅电极连接，埋入于第二槽部的沟槽栅极与发射极电极连接。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111954931B
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN201980018090.8
申请日：2019-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739
Abstract: 提高高温动作时的栅极电阻元件的可靠性。半导体装置具备漂移层(1)、基底层(5)、发射极层(9)、栅极绝缘膜(7)、栅极电极(6A)、栅极焊盘电极(13)、第一电阻层(200)以及第一氮化物层(300)，第一电阻层的电阻具有负的温度系数，第一电阻层由掺杂有氢的非晶硅形成，第一氮化物层由氮化硅层或氮化铝层形成。
-
公开(公告)号：CN110702250B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201910600380.5
申请日：2019-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。
-
公开(公告)号：CN113053839A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011516715.4
申请日：2020-12-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/13 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提供即使在安装冷却体的设置面具有翘曲形状的情况下也会实现恰当的散热特性的半导体装置。半导体装置包含半导体元件、基座板及多个接触材料。基座板在表面保持有半导体元件，并且在背面能够安装用于对半导体元件进行冷却的冷却体。多个接触材料离散地配置于基座板的背面。多个接触材料用于填埋基座板和冷却体之间的散热路径中的间隙。多个接触材料的每一者具有基于基座板的背面处的翘曲形状的体积。多个接触材料中的翘曲形状的凹部处的接触材料的体积比翘曲形状的凸部处的接触材料的体积大。
-
公开(公告)号：CN112880850A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110034188.1
申请日：2019-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。
-
公开(公告)号：CN110702250A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910600380.5
申请日：2019-07-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及电力变换装置，其目的在于得到能够在抑制半导体芯片的部件数量的同时检测半导体芯片自身的温度的半导体装置以及电力变换装置。本发明涉及的半导体装置具备：半导体芯片，其电阻值与温度相对应地变化；外部电阻，其与该半导体芯片串联连接；以及检测部，其在向由该半导体芯片和该外部电阻形成的串联电路的两端施加了第1电压的状态下，对施加至该外部电阻的两端的第2电压进行检测，该检测部根据该第2电压对该半导体芯片的温度进行计算。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.031 seconds)
