缓冲电路及半导体装置
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108476018B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN201680077489.X

    申请日:2016-01-07

    Inventor: 吉田健太郎

    Abstract: 目的在于提供能够使互补SEPP电路稳定地动作的技术。具有:NPN晶体管(Q1)及PNP晶体管(Q2),它们形成互补SEPP电路;第1电阻及第2电阻;第1负载元件,其一端与半导体开关元件(3)的栅极连接,另一端与NPN晶体管(Q1)的基极连接;以及第2负载元件,其一端与半导体开关元件(3)的栅极连接,另一端与PNP晶体管(Q2)的基极连接。

    控制电路及电力转换装置

    公开(公告)号:CN111033989A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201880053807.8

    申请日:2018-02-27

    Abstract: 本发明涉及一种对开关器件进行控制的控制电路,该控制电路对第1开关器件以及第2开关器件进行控制,该第1开关器件以及第2开关器件在第1电位与低于第1电位的第2电位之间串联连接且互补地动作,控制电路具有对第1开关器件进行控制的第1控制电路和对第2开关器件进行控制的第2控制电路,控制电路基于第1开关器件以及第2开关器件的一方的温度对第1控制电路以及第2控制电路的电路常数进行可变控制。

    缓冲电路
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105518993B

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201380079392.9

    申请日:2013-09-06

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种缓冲电路,该缓冲电路降低了在导通以及截止时施加至构成互补对的晶体管的反向电压。缓冲电路(100、300)进行开关元件(1)的导通以及截止,该缓冲电路(100、300)还具有:驱动侧元件,其一端与驱动用晶体管(4)的基极连接;以及灌入侧元件,其一端与灌入用晶体管(5)的基极连接,驱动侧元件以及灌入侧元件是各自的另一端即阳极以及阴极与控制电路(8)的输出端子连接的驱动侧二极管(6)以及灌入侧二极管(7),或者是各自的另一端与驱动用晶体管(4)以及灌入用晶体管(5)的发射极连接的驱动侧电容器(12)以及灌入侧电容器(13)。

    半导体装置及电力转换系统
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110337784A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201780087343.8

    申请日:2017-02-28

    Abstract: 对由半导体开关元件刚关断后的米勒期间中的感测电压的上升产生的过电流保护电路的误动作进行抑制。半导体装置具备:半导体开关元件(12);感测电阻(16);过电流保护电路(104),其基于感测电压是否超过阈值,输出用于对半导体开关元件(12)的接通驱动及断开驱动进行控制的控制信号;以及二极管(36),其对感测电压进行钳位。过电流保护电路(104)在感测电压超过阈值的情况下,输出使半导体开关元件(12)进行断开驱动的信号作为控制信号。

    缓冲电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN105518993A

    公开(公告)日:2016-04-20

    申请号:CN201380079392.9

    申请日:2013-09-06

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种缓冲电路,该缓冲电路降低了在导通以及截止时施加至构成互补对的晶体管的反向电压。缓冲电路(100、300)进行开关元件(1)的导通以及截止,该缓冲电路(100、300)还具有:驱动侧元件,其一端与驱动用晶体管(4)的基极连接;以及灌入侧元件,其一端与灌入用晶体管(5)的基极连接,驱动侧元件以及灌入侧元件是各自的另一端即阳极以及阴极与控制电路(8)的输出端子连接的驱动侧二极管(6)以及灌入侧二极管(7),或者是各自的另一端与驱动用晶体管(4)以及灌入用晶体管(5)的发射极连接的驱动侧电容器(12)以及灌入侧电容器(13)。

    半导体装置及电力转换系统

    公开(公告)号:CN110337784B

    公开(公告)日:2023-06-09

    申请号:CN201780087343.8

    申请日:2017-02-28

    Abstract: 对由半导体开关元件刚关断后的米勒期间中的感测电压的上升产生的过电流保护电路的误动作进行抑制。半导体装置具备:半导体开关元件(12);感测电阻(16);过电流保护电路(104),其基于感测电压是否超过阈值,输出用于对半导体开关元件(12)的接通驱动及断开驱动进行控制的控制信号;以及二极管(36),其对感测电压进行钳位。过电流保护电路(104)在感测电压超过阈值的情况下,输出使半导体开关元件(12)进行断开驱动的信号作为控制信号。

    控制电路及电力转换装置

    公开(公告)号:CN111033989B

    公开(公告)日:2023-05-02

    申请号:CN201880053807.8

    申请日:2018-02-27

    Abstract: 本发明涉及一种对开关器件进行控制的控制电路,该控制电路对第1开关器件以及第2开关器件进行控制,该第1开关器件以及第2开关器件在第1电位与低于第1电位的第2电位之间串联连接且互补地动作,控制电路具有对第1开关器件进行控制的第1控制电路和对第2开关器件进行控制的第2控制电路,控制电路基于第1开关器件以及第2开关器件的一方的温度对第1控制电路以及第2控制电路的电路常数进行可变控制。

    半导体装置、电力转换装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN119155896A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202410512294.X

    申请日:2024-04-26

    Abstract: 本发明提供能够降低平滑电容器的布线电感的技术。在冷却器(2)上的绝缘基板(31)上设置有与半导体元件(1)电连接的电路图案(32)。平滑电容器(401)配置为在俯视观察下不与所述半导体元件(1)重叠,并且具有:形成静电电容的内部电极(451)、收纳内部电极(451)的电容器外壳(490)、以及从电容器外壳(490)无缝突出的端子(442)。第一封装材料(5)覆盖所述平滑电容器(401)的所述端子(442)、所述绝缘基板(31)以及所述电路图案(32)各自的至少一部分。所述平滑电容器(401)的所述端子(442)与所述电路图案(32),借助所述端子(442)与所述电路图案(32)的界面所具有的接合力而相互直接连接。

    半导体装置
    9.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116762171A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202180092335.9

    申请日:2021-02-02

    Abstract: 目的在于提供一种能够减小半导体装置的尺寸的技术。半导体装置具有第1半导体元件以及第2半导体元件。第1半导体元件的输出与第2半导体元件的输出经由配线而连接。主电流在第1半导体元件流动,感测电流在第2半导体元件流动。感测电流与主电流具有相关性。半导体装置还具有电流检测器。电流检测器非接触地对在第2半导体元件流动的感测电流进行检测。

    缓冲电路及半导体装置
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108476018A

    公开(公告)日:2018-08-31

    申请号:CN201680077489.X

    申请日:2016-01-07

    Inventor: 吉田健太郎

    CPC classification number: H02M1/08 H03K17/00 H03K17/567

    Abstract: 目的在于提供能够使互补SEPP电路稳定地动作的技术。具有:NPN晶体管(Q1)及PNP晶体管(Q2),它们形成互补SEPP电路;第1电阻及第2电阻;第1负载元件,其一端与半导体开关元件(3)的栅极连接,另一端与NPN晶体管(Q1)的基极连接;以及第2负载元件,其一端与半导体开关元件(3)的栅极连接,另一端与PNP晶体管(Q2)的基极连接。

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