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公开(公告)号：CN117769761A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280053221.8
申请日：2022-08-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/40 , H02M7/48
Abstract: 提供能够降低散热部件与绝缘基板的接合所引起的热应力并抑制由于热应力而产生的散热部件的翘曲的技术。功率模块(202)具备：散热部件(14)，其具有周壁部(15)和凹部(19)，凹部(19)形成于比周壁部(15)靠内周侧的位置且向下方凹陷；至少一个陶瓷基板(10)，其被接合到凹部(19)内；多个半导体元件，它们搭载于至少一个陶瓷基板(10)上；壳体(5)，其沿着周壁部(15)的上端被固定，在内部填充有密封树脂(7)；以及电路形成部件，其包含电极板(63、64、65)，电极板(63、64、65)分别将多个半导体元件之间、以及半导体元件与至少一个陶瓷基板(10)之间连接，散热部件(14)的周壁部(15)的上下方向(Z轴方向)的厚度比形成凹部(19)的底面的底壁部(16)的上下方向(Z轴方向)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN104584405B
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201280075483.0
申请日：2012-08-27
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M3/33507 , H02M3/33523 , H02M2001/0003 , H02M2001/0025 , H02M2001/008
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够实现节省空间化、低成本化的用于规定的开关电源装置中的开关控制电路。并且，本发明所涉及的电压检测电路(4)由差动放大部(13)以及H检测滤波电路(14)构成，差动放大部(13)将输入电压(V1)以及一次侧电压(V2)之间的电位差放大而得到差动放大电压(V3)。H检测滤波电路(14)提取差动放大电压(V3)的低频成分而输出检测电压(V4)。DC/DC控制IC(15)将基于检测电压(V4)对脉冲宽度进行整形而得到的PWM信号(S15)输出至晶体管(Q11)的控制电极，由此控制晶体管(Q11)的导通/截止动作。
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公开(公告)号：CN106664014A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480081694.4
申请日：2014-09-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M3/155
CPC classification number: H02M3/158 , H02M1/08 , H02M3/1588 , H02M2001/0048 , H02M2001/0054 , H02M2001/327 , Y02B70/1466 , Y02B70/1491
Abstract: 目的在于提供一种不论工作周围温度如何都能够提高变换效率的技术。DC－DC转换器具有：开关元件(1、2)；驱动部(12)，其驱动开关元件(1、2)而进行同步整流；续流二极管(3)，其与开关元件(2)并联连接；以及温度检测电路(11)，其对续流二极管(3)的温度进行检测。驱动部(12)在由温度检测电路(11)检测出的温度小于或等于预先确定的第1阈值的情况下将开关元件(2)的驱动停止。
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公开(公告)号：CN104620480A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201280075809.X
申请日：2012-09-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M3/335 , B60L11/18 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/78 , H02M1/08 , H03K17/08
Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体装置的特征在于，具有：晶体管，其由高电压电源向漏极和源极之间施加电压；驱动装置，其根据与该高电压电源相比电压较低的低电压电源的电压生成该晶体管的源极电压和栅极电压；以及分压电路，其与该低电压电源连接，当该源极电压低于一定值时，向该源极施加该分压电路的输出电压。
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公开(公告)号：CN102684656A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210069156.6
申请日：2012-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/08
CPC classification number: H03K17/0828 , H03K17/163 , H03K17/168 , H03K17/18
Abstract: 本发明提供能迅速抑制功率元件的过电流并减小di/dt而断开功率元件的栅极电路。本发明的栅极电路，具有过电流抑制单元，使其在发生功率元件的过电流时同时使电阻元件分担功率元件的一部分栅极电压。而且，还具有断开动作延迟单元，以在抑制功率元件的过电流后，利用电阻值高的电阻元件来稳稳地断开功率元件。
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公开(公告)号：CN104620480B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201280075809.X
申请日：2012-09-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M3/335 , B60L11/18 , H01L29/1602 , H01L29/1608 , H01L29/2003 , H01L29/78 , H02M1/08 , H03K17/08
Abstract: 本申请的发明所涉及的半导体装置的特征在于，具有：晶体管，其由高电压电源向漏极和源极之间施加电压；驱动装置，其根据与该高电压电源相比电压较低的低电压电源的电压生成该晶体管的源极电压和栅极电压；以及分压电路，其与该低电压电源连接，当该源极电压低于一定值时，向该源极施加该分压电路的输出电压。
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公开(公告)号：CN110383488A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201780088076.6
申请日：2017-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 得到可靠性高的半导体装置。半导体装置(11)具备半导体基板、第1栅布线(22)及第2栅布线(22)、第1金属部(20a)、绝缘部件(40)以及第2金属部(20b)。第1栅布线(22)及第2栅布线(22)在半导体基板的主面上相互隔开间隔而配置。第1金属部(20a)形成于第1栅布线(22)及第2栅布线(22)之上。第1金属部(20a)具有在第1栅布线(22)与第2栅布线(22)之间的区域中位于与半导体基板(18)侧相反的一侧的上表面。在上表面形成有凹部(28)。绝缘部件(40)埋入于凹部(28)的至少一部分。第2金属部(20b)从绝缘部件(40)的上部表面上延伸至第1金属部(20a)的上表面上。
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公开(公告)号：CN115315805A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022576.6
申请日：2021-03-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 作为对搭载于主表面翘曲的绝缘基板上的半导体元件稳定地连接电路，具有高的可靠性的半导体装置的功率模块(100)具备绝缘基板(10)、散热部件(20)以及电极板(30)。绝缘基板(10)搭载IGBT(41)以及二极管(42)。散热部件(20)通过第1焊料(51)与绝缘基板(10)接合。电极板(30)以与半导体元件之上的至少一部分重叠的方式配置。绝缘基板(10)主表面以绝缘基板(10)向散热部件(20)侧成为凸形状的方式翘曲。第1焊料(51)相比于俯视时的中央部在端部更厚。半导体元件通过第2焊料(52)与电极板(30)接合。
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公开(公告)号：CN102684656B
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201210069156.6
申请日：2012-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/08
CPC classification number: H03K17/0828 , H03K17/163 , H03K17/168 , H03K17/18
Abstract: 本发明提供能迅速抑制功率元件的过电流并减小di/dt而断开功率元件的栅极电路。本发明的栅极电路，具有过电流抑制单元，使其在发生功率元件的过电流时同时使电阻元件分担功率元件的一部分栅极电压。而且，还具有断开动作延迟单元，以在抑制功率元件的过电流后，利用电阻值高的电阻元件来稳稳地断开功率元件。
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