半导体元件的驱动电路以及半导体装置

    公开(公告)号:CN105393444B

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201380078319.X

    申请日:2013-07-16

    Abstract: 初级侧电路将基准电位(GND)作为基准而生成与输入信号的上升沿同步的第1导通脉冲和与输入信号的下降沿同步的第1截止脉冲。电平移位电路将基准电位(VS)作为基准而生成使第1导通脉冲的电压电平进行移位而得到的第2导通脉冲和使第1截止脉冲的电压电平进行移位而得到的第2截止脉冲。次级侧电路将与第2导通脉冲同步地上升且与第2截止脉冲同步地下降的输出脉冲作为半导体元件的驱动信号而进行输出,在第2导通脉冲和第2截止脉冲双方为高电平时对输出进行保持。在基准电位(VS)的上升时,再次产生第1导通脉冲和第1截止脉冲中的、与第2基准电位的上升时的输入信号的状态相对应的脉冲,在第2基准电位的上升结束后,通过使第2导通脉冲或第2截止脉冲中的任意者成为高电平,从而再次对输入信号的状态进行传递。

    驱动电路、半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107710616A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201580081184.1

    申请日:2015-06-22

    Abstract: 具备:1个恒压电路,其生成第1电压和第2电压;第1、第2输出电路,其被输入该第1电压及该第2电压,被输入栅极驱动信号;第1端子,其与该第1输出电路的输出连接;以及第2端子,其与该第2输出电路的输出连接,该第1输出电路在该栅极驱动信号上升时对该第1端子施加该第1电压,之后提高该栅极驱动信号的电压而施加于该第1端子,在该栅极驱动信号下降时对该第1端子施加该第2电压,该第2输出电路在该栅极驱动信号上升时对该第2端子施加该第1电压,之后提高该栅极驱动信号的电压而施加于该第2端子,在该栅极驱动信号下降时对该第2端子施加该第2电压。

    键合焊盘、集成电路元件以及集成电路装置

    公开(公告)号:CN118412334A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410087454.0

    申请日:2024-01-22

    Abstract: 键合焊盘(11)具有:表面电极层(1),具有第1面(10A);电阻层(2),具有在与第1面正交的第1方向(Z)上与第1面隔开间隔地配置且朝向第1面的相反侧的第2面(10B);应力缓冲层(3),在第1方向上配置于表面电极层与电阻层之间;以及连接部(4),在第1方向上将表面电极层与应力缓冲层之间连接,且与表面电极层及应力缓冲层分别相接。应力缓冲层在与第1方向正交的方向上在键合焊盘整体延伸。连接部包含在第1方向上与表面电极层及应力缓冲层分别相接的绝缘体(41)、在与第1方向正交的方向上与绝缘体相接且将表面电极层与应力缓冲层之间电连接的多个插塞(42)。应力缓冲层的第1方向的厚度厚于表面电极层的第1方向的厚度。

    半导体器件驱动电路及逆变器装置

    公开(公告)号:CN108337922B

    公开(公告)日:2020-12-18

    申请号:CN201580083994.0

    申请日:2015-10-19

    Abstract: 半导体器件驱动电路对半导体开关元件进行驱动,该半导体开关元件具备第1电极、第2电极、以及对所述第1电极及第2电极的电连接进行控制的控制电极。所述半导体器件驱动电路具备:输入端子,其接收输入信号;电平移位部,其将所述输入信号的电压电平进行移位,输出应向所述控制电极赋予的驱动信号;第1电阻,其根据施加于所述第1电极的第1电压生成第1电流;第2电阻,其根据施加于所述第2电极的第2电压生成第2电流;以及电压差判定部,其在所述第1电流和所述第2电流的差大于或等于预先设定的不饱和判定值时,发出检测信号。所述半导体器件驱动电路构成为,所述电平移位部、所述第1电阻、所述第2电阻及所述电压差判定部设置于1个集成电路芯片。

    半导体器件驱动电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108432134A

    公开(公告)日:2018-08-21

    申请号:CN201580085300.7

    申请日:2015-12-18

    CPC classification number: H03K17/08128 H03K17/08 H03K17/30

    Abstract: 半导体器件驱动电路具有:阈值调整电路,其输出阈值;不饱和电压检测电路,其在半导体开关元件的第1电极与第2电极之间的电压是不饱和电压的情况下,取得以预先确定的增加率增加的检测电压,且对上述检测电压是否比上述阈值高进行判定;以及驱动电路,其基于输入信号生成上述半导体开关元件的驱动信号,且在通过上述不饱和电压检测电路判定为上述检测电压比上述阈值高的情况下,将上述驱动信号维持为切断。上述阈值调整电路能够在第1电压与比上述第1电压低的第2电压之间对上述阈值进行切换,在上述半导体开关元件是断开状态的情况下将上述第1电压作为上述阈值输出,在上述半导体开关元件接通,上述第1电极与上述第2电极之间的电压是饱和电压的情况下,将上述第2电压作为上述阈值输出。

    电平移位电路及驱动电路

    公开(公告)号:CN108206685B

    公开(公告)日:2021-08-06

    申请号:CN201711376938.3

    申请日:2017-12-19

    Abstract: 得到一种具有电绝缘性、小型且低价的电平移位电路及驱动电路。电热变换元件(5)将以第一基准电位为基准的第一电信号变换为热。热电变换元件(6)将来自电热变换元件(5)的热变换为以与第一基准电位不同的第二基准电位为基准的第二电信号。绝缘区域(7)将电热变换元件(5)和热电变换元件(6)电绝缘。

    半导体器件驱动电路
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107251433B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201580076281.1

    申请日:2015-02-16

    Abstract: 半导体器件驱动电路具有第1驱动电路(2a)以及第2驱动电路(5)。第1驱动电路(2a)生成对电压控制型开关元件进行控制的控制信号。第1驱动电路(2a)与输入至第1驱动电路(2a)的电压信号同步地生成控制信号。第1驱动电路(2a)具有与电压信号的大小相应的输出电流能力。第2驱动电路(5)向第1驱动电路(2a)输出电压信号。第2驱动电路(5)包含对电压信号的大小进行调整的输出调整电路(4a)。

    半导体器件驱动电路及逆变器装置

    公开(公告)号:CN108337922A

    公开(公告)日:2018-07-27

    申请号:CN201580083994.0

    申请日:2015-10-19

    Abstract: 半导体器件驱动电路对半导体开关元件进行驱动,该半导体开关元件具备第1电极、第2电极、以及对所述第1电极及第2电极的电连接进行控制的控制电极。所述半导体器件驱动电路具备:输入端子,其接收输入信号;电平移位部,其将所述输入信号的电压电平进行移位,输出应向所述控制电极赋予的驱动信号;第1电阻,其根据施加于所述第1电极的第1电压生成第1电流;第2电阻,其根据施加于所述第2电极的第2电压生成第2电流;以及电压差判定部,其在所述第1电流和所述第2电流的差大于或等于预先设定的不饱和判定值时,发出检测信号。所述半导体器件驱动电路构成为,所述电平移位部、所述第1电阻、所述第2电阻及所述电压差判定部设置于1个集成电路芯片。

    延迟时间校正电路、半导体器件驱动电路以及半导体装置

    公开(公告)号:CN107425701A

    公开(公告)日:2017-12-01

    申请号:CN201710357964.5

    申请日:2017-05-19

    Abstract: 在使用简单的结构的同时精密地校正来自半导体开关元件的输出相对于输入信号的信号宽度偏差。延迟时间校正电路(601)使输入信号(IN)延迟而生成向驱动部(500)提供的预驱动信号(VPD),驱动部生成驱动信号(VG)。暂态变化检测部(2)检测导通动作及截止动作中的一方动作的暂态变化。校正信号生成部(3)基于输入信号和由暂态变化检测部检测出的暂态变化生成校正信号(AS)。延迟输出部(4)使用校正信号而使输入信号延迟,由此生成与预驱动信号对应的输出信号。在延迟输出部中,使得对导通动作以及截止动作中的与一方动作不同的另一方动作进行指示的输出信号,对应于此前最近进行的一方动作的暂态变化的期间的长度而相对于输入信号延迟。

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