公开(公告)号：CN115516645A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202080100601.3

申请日：2020-05-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 斋藤尚史 ,  滝口雄贵 ,  宇佐美茂佳 ,  山田高宽 ,  中村茉里香 ,  柳生荣治

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

Abstract: 源极层(13)设置在由氮化物系半导体构成的第一p型层(12)之上，包含具有电子作为载流子的半导体区域。漏极层(14)在第一p型层(12)之上从源极层(13)空出间隔且在第一方向上相向，包含具有电子作为载流子的半导体区域。沟道结构(SR)在第一p型层(12)之上设置在源极层(13)和漏极层(14)之间，在与第一方向正交的第二方向上交替地配置沟道区域(CN)和栅极区域(GT)。沟道结构(SR)包含的沟道层(15)构成沟道区域(CN)的至少一部分，由氮化物系半导体构成。沟道结构(SR)包含的栅极层(16)构成栅极区域(GT)的至少一部分，电连接栅极电极(19)和第一p型层(12)。

公开(公告)号：CN115668512A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180035827.4

申请日：2021-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村茉里香 ,  宇佐美茂佳 ,  滝口雄贵 ,  山田高宽 ,  斋藤尚史 ,  绵引达郎 ,  柳生荣治

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778

Abstract: 提供耐压高的晶体管。在第1方向上层叠第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层。第1以及第2氮化物半导体层形成异质结，在第1氮化物半导体层引起二维载流子气。漏极电极在第3方向上隔着栅极电极与源极电极对置。源极电极以及漏极电极与第1氮化物半导体层导通。第1以及第2氮化物半导体层与栅极电极8形成肖特基结。第1层在第3方向X上位于栅极电极与漏极电极之间且与栅极电极接触，在第2方向上与第2氮化物半导体层接触。第1层是绝缘体、本征半导体、具有与第2氮化物半导体层相反的导电类型的半导体中的任意物体，抑制在第1方向上与第1层对置的第1氮化物半导体层引起二维载流子气。