公开(公告)号：CN115668512A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202180035827.4

申请日：2021-05-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村茉里香 ,  宇佐美茂佳 ,  滝口雄贵 ,  山田高宽 ,  斋藤尚史 ,  绵引达郎 ,  柳生荣治

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778

Abstract: 提供耐压高的晶体管。在第1方向上层叠第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层。第1以及第2氮化物半导体层形成异质结，在第1氮化物半导体层引起二维载流子气。漏极电极在第3方向上隔着栅极电极与源极电极对置。源极电极以及漏极电极与第1氮化物半导体层导通。第1以及第2氮化物半导体层与栅极电极8形成肖特基结。第1层在第3方向X上位于栅极电极与漏极电极之间且与栅极电极接触，在第2方向上与第2氮化物半导体层接触。第1层是绝缘体、本征半导体、具有与第2氮化物半导体层相反的导电类型的半导体中的任意物体，抑制在第1方向上与第1层对置的第1氮化物半导体层引起二维载流子气。

公开(公告)号：CN111954931A

公开(公告)日：2020-11-17

申请号：CN201980018090.8

申请日：2019-01-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥田聪志 ,  绵引达郎 ,  斋藤尚史 ,  村冈宏记

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 提高高温动作时的栅极电阻元件的可靠性。半导体装置具备漂移层(1)、基底层(5)、发射极层(9)、栅极绝缘膜(7)、栅极电极(6A)、栅极焊盘电极(13)、第一电阻层(200)以及第一氮化物层(300)，第一电阻层的电阻具有负的温度系数，第一电阻层由掺杂有氢的非晶硅形成，第一氮化物层由氮化硅层或氮化铝层形成。

公开(公告)号：CN111954931B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN201980018090.8

申请日：2019-01-16

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 奥田聪志 ,  绵引达郎 ,  斋藤尚史 ,  村冈宏记

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739

Abstract: 提高高温动作时的栅极电阻元件的可靠性。半导体装置具备漂移层(1)、基底层(5)、发射极层(9)、栅极绝缘膜(7)、栅极电极(6A)、栅极焊盘电极(13)、第一电阻层(200)以及第一氮化物层(300)，第一电阻层的电阻具有负的温度系数，第一电阻层由掺杂有氢的非晶硅形成，第一氮化物层由氮化硅层或氮化铝层形成。

公开(公告)号：CN116982160A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202180095877.1

申请日：2021-03-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 泷口雄贵 ,  柳生荣治 ,  西村邦彦 ,  斋藤尚史 ,  山田高宽 ,  津波大介 ,  中村茉里香 ,  伊藤正尚

IPC: H01L29/78

Abstract: 本发明的目的在于提供一种降低鳍式晶体管的特性偏差的半导体装置。半导体装置具备基板、半导体层、元件区域以及多个鳍式晶体管。基板包括主面。半导体层作为构成基板的主面的表层而设置，或者设置在基板的主面上。半导体层具有在与基板的主面处于对应关系的晶面上具有相互等价的关系的多个晶体取向中的两个晶体取向所成的角度为60度或120度的晶体结构。元件区域由设置于基板的主面的多个单位元件区域构成。多个鳍式晶体管分别形成于多个单位元件区域中的半导体层。多个鳍式晶体管从元件区域的中央部朝向外周部呈放射状地延伸。多个鳍式晶体管中的彼此相邻的两个鳍式晶体管的间隔为60度或120度。

公开(公告)号：CN115516645A

公开(公告)日：2022-12-23

申请号：CN202080100601.3

申请日：2020-05-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 斋藤尚史 ,  滝口雄贵 ,  宇佐美茂佳 ,  山田高宽 ,  中村茉里香 ,  柳生荣治

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

Abstract: 源极层(13)设置在由氮化物系半导体构成的第一p型层(12)之上，包含具有电子作为载流子的半导体区域。漏极层(14)在第一p型层(12)之上从源极层(13)空出间隔且在第一方向上相向，包含具有电子作为载流子的半导体区域。沟道结构(SR)在第一p型层(12)之上设置在源极层(13)和漏极层(14)之间，在与第一方向正交的第二方向上交替地配置沟道区域(CN)和栅极区域(GT)。沟道结构(SR)包含的沟道层(15)构成沟道区域(CN)的至少一部分，由氮化物系半导体构成。沟道结构(SR)包含的栅极层(16)构成栅极区域(GT)的至少一部分，电连接栅极电极(19)和第一p型层(12)。