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公开(公告)号：CN1743654A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510071499.6
申请日：2005-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G06F1/30 , B60R16/03 , G05B2219/25302 , G05B2219/2637 , G11C16/102 , H02J3/14
Abstract: 作为车载电子控制装置的非易失性存储器，使用划分成可个别进行成批擦除的第1、第2存储块的快速擦写存储器，能进行多次保存处理且成批擦除次数少。微处理器(110)根据非易失性存储器(111a)的第1存储块(112a)存放的控制程序、固定控制常数、半固定控制常数、以及从非易失性存储器(111a)的第2存储块(112b)传送到RAM存储器(113)的可变控制常数，对车载传感器群(101、102)的输入信号作出响应，控制车载电负荷群(103)，在运转过程中对RAM存储器(113)的内容进行学习校正。电源开关(107)关断时，将RAM存储器(113)的内容依次添加写入到第2存储块(112b)，如果第2存储块(112b)存满，则成批擦除后写入新数据。
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公开(公告)号：CN101211286B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200710162334.9
申请日：2007-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G11C29/42 , G06F11/1068 , G11C7/1006 , G11C2029/0401 , G11C2029/0411
Abstract: 提高使用能方便地进行高速读写的非易失性存储器MRAM的电子控制装置的安全性。从外部工具(108)写入控制程序的MRAM(120A)具有带纠错码的写入电路(122)、译码读出电路(123)、以及将差错发生地址号作为差错数据写入的差错寄存器(125a、125b)，若在指定差错发生地址并进行确认读出时仍然发生差错，则进行重复异常判断，并作异常通知。MRAM(120A)的程序存储区通常为写入禁止状态，连接外部工具(108)时解除禁止状态。将差错寄存器(125a、125b)设置在不成为写入禁止对象的数据存储区。
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公开(公告)号：CN100425817C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510071499.6
申请日：2005-05-09
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G06F1/30 , B60R16/03 , G05B2219/25302 , G05B2219/2637 , G11C16/102 , H02J3/14
Abstract: 作为车载电子控制装置的非易失性存储器，使用划分成可个别进行成批擦除的第1、第2存储块的快速擦写存储器，能进行多次保存处理且成批擦除次数少。微处理器根据非易失性存储器的第1存储块存放的控制程序、固定控制常数、半固定控制常数、以及从非易失性存储器的第2存储块传送到RAM存储器的可变控制常数，对车载传感器群的输入信号作出响应，控制车载电负荷群，在运转过程中对RAM存储器的内容进行学习校正。电源开关关断时，将RAM存储器的内容依次添加写入到第2存储块，如果第2存储块存满，则成批擦除后写入新数据。
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公开(公告)号：CN101211286A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710162334.9
申请日：2007-09-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G06F11/10
CPC classification number: G11C29/42 , G06F11/1068 , G11C7/1006 , G11C2029/0401 , G11C2029/0411
Abstract: 提高使用能方便地进行高速读写的非易失性存储器MRAM的电子控制装置的安全性。从外部工具(108)写入控制程序的MRAM(120A)具有带纠错码的写入电路(122)、译码读出电路(123)、以及将差错发生地址号作为差错数据写入的差错寄存器(125a、125b)，若在指定差错发生地址并进行确认读出时仍然发生差错，则进行重复异常判断，并作异常通知。MRAM(120A)的程序存储区通常为写入禁止状态，连接外部工具(108)时解除禁止状态。将差错寄存器(125a、125b)设置在不成为写入禁止对象的数据存储区。
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