公开(公告)号：CN1116783A

公开(公告)日：1996-02-14

申请号：CN95107191.2

申请日：1995-06-06

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 柿本升一

IPC: H01S3/18

CPC classification number: H01S5/20 ,  H01S5/0608 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2275 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3213 ,  H01S5/50 ,  H01S5/5045

Abstract: 一种半导体发光器件，包括一个双异质结结构，该结构包括活性层、第一电导型覆盖层、和第二电导型覆盖层，这些覆盖层夹住活性层，在第一电导型覆盖层和活性层之间夹进非搀杂的覆盖层，非搀杂覆盖层的材料与第一电导型覆盖层相同，并且非搀杂覆盖层的厚度大于载流子在该非搀覆盖层中的扩散长度。因此，载流子在非搀杂的覆盖层中积累，并借助于载流子间的库仑排斥作用被有规律地引入活性层中，从而得到低产生热量、以及低噪声的半导体发光器件。