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公开(公告)号：CN104969084B
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201480007669.1
申请日：2014-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 磁场生成部配置于为片状且包含磁性分量的被检测物(4)的一个面侧。磁场生成部包括构成第一磁极的第一磁极部和构成与第一磁极相反的第二磁极的第二磁极部。磁体生成部生成与被检测物(4)相交叉的交叉磁场。MR元件(3)配置在第一磁极部和被检测物(4)之间。MR元件(3)根据交叉磁场的传送方向上的分量变化，电阻值发生变化。MR元件(3)的传送方向上的位置是从第一磁极部的传送方向上的中心位置沿传送方向偏移的位置，是第一磁极部的传送方向上的两端之间的位置。
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公开(公告)号：CN105122316B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201480018840.9
申请日：2014-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H04N1/00326 , G07D7/04 , G07D7/12 , H04N1/00339 , H04N1/12 , H04N1/193 , H04N2201/0081
Abstract: 磁体(11)设置在片状的被读取介质(1)沿着其片材面的方向传送的传送面P的一侧，在与传送面(P)垂直的方向上产生磁场。磁阻效应元件(14)设置在磁体(11)与传送面(P)之间，在传送面(P)上对被读取介质(1)进行传送时，在磁读取区域(202)中检测磁场的传送方向上的分量的强度变化。导光体(4)夹着传送面(P)设置在与磁体(11)相对的一侧，向传送面(P)的磁读取区域(202)照射光。成像光学系统(5)和受光部(7)夹着传送面(P)设置在与磁体(11)相对的一侧。并且，成像光学系统(5)将传送面(P)的磁读取区域(202)中包含传送方向的至少一部分的光学读取区域(201)成像到受光部(7)中。
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公开(公告)号：CN105122316A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480018840.9
申请日：2014-04-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H04N1/00326 , G07D7/04 , G07D7/12 , H04N1/00339 , H04N1/12 , H04N1/193 , H04N2201/0081
Abstract: 磁体(11)设置在片状的被读取介质(1)沿着其片材面的方向传送的传送面P的一侧，在与传送面(P)垂直的方向上产生磁场。磁阻效应元件(14)设置在磁体(11)与传送面(P)之间，在传送面(P)上对被读取介质(1)进行传送时，在磁读取区域(202)中检测磁场的传送方向上的分量的强度变化。导光体(4)夹着传送面(P)设置在与磁体(11)相对的一侧，向传送面(P)的磁读取区域(202)照射光。成像光学系统(5)和受光部(7)夹着传送面(P)设置在与磁体(11)相对的一侧。并且，成像光学系统(5)将传送面(P)的磁读取区域(202)中包含传送方向的至少一部分的光学读取区域(201)成像到受光部(7)中。
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公开(公告)号：CN104969084A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007669.1
申请日：2014-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 磁场生成部配置于为片状且包含磁性分量的被检测物(4)的一个面侧。磁场生成部包括构成第一磁极的第一磁极部和构成与第一磁极相反的第二磁极的第二磁极部。磁体生成部生成与被检测物(4)相交叉的交叉磁场。MR元件(3)配置在第一磁极部和被检测物(4)之间。MR元件(3)根据交叉磁场的传送方向上的分量变化，电阻值发生变化。MR元件(3)的传送方向上的位置是从第一磁极部的传送方向上的中心位置沿传送方向偏移的位置，是第一磁极部的传送方向上的两端之间的位置。
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