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公开(公告)号:CN118119908A
公开(公告)日:2024-05-31
申请号:CN202280068582.X
申请日:2022-10-25
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G05D1/43
Abstract: 本发明所涉及的自动输送系统(100)具有引导路(1)、输送车(2)和用于对输送车(2)的行驶路径进行计算的程序。对引导路(1)所包含的多个分支点(15-18)及多个停止位置(3-14),各自赋予了通过与引导路(1)所包含的流路的最大次数相对应的个数即3个编号的组合而确定的位置代码(24-39)的任意者。对位置代码进行确定的3个编号,各自是基于包含有与位置代码相对应的分支点或停止位置的流路和该分支点或该停止位置的从该流路的起点算起的次序而决定的。
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公开(公告)号:CN115335716A
公开(公告)日:2022-11-11
申请号:CN202180023746.2
申请日:2021-03-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 通过具备产生大巴克豪森效应的磁性体、卷绕地配置到磁性体的发电用线圈、以及在磁性体的两端部以与磁性体相接并且按压磁性体的方式形成的软磁性体,提高磁性体的磁通密度的均匀性,稳定地产生大巴克豪森效应,从而得到稳定性高的发电元件。
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公开(公告)号:CN103875139A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201180074189.3
申请日:2011-11-16
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S3/025 , H01S3/0405 , H01S3/0632 , H01S3/0941 , H01S3/09415 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02438 , H01S5/02476 , H01S5/4031
Abstract: 本发明的目的在于通过简单的构造获得高效的半导体激光器激励固体激光器。因此具备:配置在固体激光器基板(2)上的平面波导型固体激光器元件(101),在板状的固体激光器介质(3)的两面形成折射率与该固体激光器介质的折射率不同的包层(15a、15b);LD阵列(1),在LD基板上形成被包覆层夹着的发光层,产生用于从端面激励固体激光器介质的激光;以及子固定架基板(5),在同一面上形成两种厚度的接合层(6a、7、70),平面波导型固体激光器元件在与设置了固体激光器基板的面相反的面中经由两种厚度的接合层中的一种厚度的接合层而接合到子固定架基板,LD阵列在发光层侧的面中经由两种厚度的接合层中的另一种厚度的接合层而接合到子固定架基板。
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公开(公告)号:CN103314487A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201180065434.4
申请日:2011-01-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01S5/0092 , F21V29/90 , G02F2001/3546 , H01S5/02252 , H01S5/02446 , H04N9/3161
Abstract: 具备:激发光源(10),射出激光(LB);波长变换元件(1),对激光(LB)进行波长变换;温度传感器(2),载置在波长变换元件(1)的第1面;加热器基板(3),将固定波长变换元件(1)的第2面来载置了波长变换元件(1)的陶瓷作为基材;以及加热器基板(3)上的加热器(4),其中,载置了激光光源(10)的辅助装配基板(11)和加热器基板(3)相对散热器而固定,散热器在与基板(3)相对置的与波长变换元件(1)的投影区域相对应的位置具有凹部(G),由此将波长变换元件整体保持为最优动作温度,能够对激光高效率地进行波长变换。
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公开(公告)号:CN102656758A
公开(公告)日:2012-09-05
申请号:CN201080057386.X
申请日:2010-12-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02476 , H01L2224/48091 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/4031 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明得到能够以低应力并且适合的温度驱动LD阵列的廉价的模块构造。具备:散热器(3),对来自接触的部件的热进行散热;辅助装配基板(4),配置于散热器(3)之上,由绝缘材料构成;供电层(5A),配置于辅助装配基板(4)之上;以及半导体激光器阵列(6),具有并列配置于供电层(5A)之上的多个发光部,其中,使辅助装配基板(4)的线膨胀系数小于半导体激光器阵列(6)的线膨胀系数,与具有大于半导体激光器阵列(6)的线膨胀系数的散热器(3)连接了的状态下的辅助装配基板(4)的线膨胀系数成为包括半导体激光器阵列(6)的线膨胀系数在内的规定的范围内。
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