公开(公告)号：CN1941331A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610142100.3

申请日：2006-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 薮下宏二 ,  山部贵人

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  G02F1/136

Abstract: 本发明涉及通过消除钼氧化物向洗涤液的溶出，防止钼氧化物附着的薄膜晶体管的制造方法及制造装置。本发明为基板(13)的制造方法。在基板(13)上形成含钼的层，在露出含钼层的状态下，对基板(13)进行加热，与此同时进行预洗涤处理，在该基板温度为130℃或130℃以下的状态下，对进行过洗涤处理的基板(13)进行湿式洗涤。通过该方法，可以抑制钼氧化物向洗涤液的溶出，防止钼氧化物对薄膜晶体管的沟道表面附着。

公开(公告)号：CN100477172C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200610142100.3

申请日：2006-09-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 薮下宏二 ,  山部贵人

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  G02F1/136

Abstract: 本发明涉及通过消除钼氧化物向洗涤液的溶出，防止钼氧化物附着的薄膜晶体管的制造方法及制造装置。本发明为基板(13)的制造方法。在基板(13)上形成含钼的层，在露出含钼层的状态下，对基板(13)进行加热，与此同时进行预洗涤处理，在该基板温度为130℃或130℃以下的状态下，对进行过洗涤处理的基板(13)进行湿式洗涤。通过该方法，可以抑制钼氧化物向洗涤液的溶出，防止钼氧化物对薄膜晶体管的沟道表面附着。

公开(公告)号：CN101034659A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085723.6

申请日：2007-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 薮下宏二 ,  林正美 ,  山部贵人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明提供了一种不增加工序数，在除去Mo氧化物的同时，抑制Mo氧化物附着于基板的基板制造方法及基板处理装置。本发明的基板制造方法是在基板上形成含钼层，在上述含钼层露出的状态下，对上述基板进行至少使用氮气的常压等离子体处理的方法。本发明提供了通过这样的构成，不增加工序数，在除去Mo氧化物的同时，抑制Mo氧化物对基板附着的基板制造方法。