公开(公告)号：CN101308856A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200810097125.5

申请日：2008-05-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 林正美 ,  宫山隆 ,  村井博之

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  G01T1/20 ,  G01T1/24

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L27/12 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14658

Abstract: 本发明提供一种光传感器。为了提高在X射线摄像显示装置等中所使用的光传感器的输出性能，需要增加在一个传感器结构要素的面积中光电二极管的面积所占的比例。因此，跨过接触孔的开口边缘形成光电二极管，但是，判明依赖于边缘长度的漏电流增大。由于漏电流使光传感器的灵敏度下降，因此漏电流的控制不可缺少。本发明提供一种具有在漏电极(7)上形成的接触孔(CH1)的开口边缘包含光电二极管(100)的边缘的配置关系的光传感器的阵列衬底。

公开(公告)号：CN1196200C

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN01110951.3

申请日：2001-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生股份有限公司

Inventor： 林正美 ,  小林正直

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78636

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有包含沟道区的薄膜场效应晶体管，该方法包括：在基板上形成非晶态半导体膜的工序；通过对上述非晶态半导体膜进行热处理，形成包含作为上述沟道区的区域的晶体半导体膜的工序；以及除去上述晶体半导体膜的表面层的工序，上述形成晶体半导体膜的工序，包含把上述半导体膜中的杂质浓缩或偏析到上述晶体半导体膜的表面层中的提纯工序，且上述提纯工序包括在对上述非晶态半导体膜热处理时，把上述非晶态半导体膜中的与上述基板邻接的区域的温度降到低于上述非晶态半导体膜的上表面层的温度。

公开(公告)号：CN1300103A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN00135568.6

申请日：2000-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 林正美 ,  村井一郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 提供具有高可靠性的半导体装置、液晶显示装置和它们的制造方法。该半导体装置包括:基板、半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极。半导体层包括在基板的主面上形成且中间夹着沟道区而邻接的源和漏区。栅极绝缘膜在沟道区上形成。栅极电极在栅极绝缘膜上形成,并具有侧壁。栅极绝缘膜7a含有延长部分。源和漏区含有在离开延长部分的侧壁的半导体层的区域内形成的高浓度杂质区和比该高浓度杂质区杂质浓度低的低浓度杂质区。

公开(公告)号：CN1168148C

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN00135568.6

申请日：2000-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 林正美 ,  村井一郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L97/84 ,  G09F9/35

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1237 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 提供具有高可靠性的半导体装置、液晶显示装置和它们的制造方法。该半导体装置包括：基板、半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极。半导体层包括在基板的主面上形成且中间夹着沟道区而邻接的源和漏区。栅极绝缘膜在沟道区上形成。栅极电极在栅极绝缘膜上形成，并具有侧壁。栅极绝缘膜7a含有延长部分。源和漏区含有在离开延长部分的侧壁的半导体层的区域内形成的高浓度杂质区和比该高浓度杂质区杂质浓度低的低浓度杂质区。

公开(公告)号：CN1312591A

公开(公告)日：2001-09-12

申请号：CN01110951.3

申请日：2001-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社 ,  精工爱普生股份有限公司

Inventor： 林正美 ,  小林正直

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/78636

Abstract: 提供一种可靠性高的、具有包含沟道区(6a～6d)的薄膜场效应晶体管的半导体装置,其包括基板(1)和半导体膜。该半导体膜包含在基板1上形成的薄膜场效应晶体管(19、20、22)的沟道区(6a～6d)。通过除去半导体膜的上表面层对半导体膜的上表面(25a～25d)进行平整化处理。

公开(公告)号：CN1288254A

公开(公告)日：2001-03-21

申请号：CN00133113.2

申请日：2000-09-10

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 石黑英人 ,  松尾稔 ,  村井博之 ,  林正美

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L2029/7863

Abstract: 一种半导体器件的制造方法,一种有源矩阵衬底的制造方法和一种电光器件,其中不同类型的TFT形成在同一衬底上,TFT的LDD长度或偏移长度的变化可通过较少的工艺得到抑制。在有源矩阵衬底的制造方法中,形成栅电极15和25的图案掩模被留下,在掺入中浓度的磷离子中使用以便与图案掩模554自对准地掺入杂质。然后,去除图案掩模,低浓度的磷离子利用栅电极作为掩模而掺入,以形成与栅电极自对准的低浓度源漏区111、121、211和221。每个区的LDD长度与栅电极的图案形成过程中产生的侧向蚀刻量相等。

公开(公告)号：CN114830065A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201980103138.5

申请日：2019-12-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 林正美 ,  折田泰 ,  上野义典 ,  坂井满 ,  沼田直树 ,  古本友纪 ,  泉福刚 ,  佐佐木雄一

IPC: G06F3/01 ,  G06F3/03 ,  G06F3/041

Abstract: 涉及一种触觉提示面板，是将具有导电性部件的触觉提示钮载置于操作面上并经由触觉提示钮对使用者提示触觉的触觉提示面板，具备：移动量计算电路，根据触觉提示钮的触觉提示面板上的当前的坐标和触觉提示钮的过去的坐标，计算触觉提示钮的移动量；触觉强度计算电路，根据移动量来计算对使用者赋予的触觉强度；以及触觉提示电路，根据触觉强度来设定电压信号波形，移动量是触觉提示钮的旋转角以及旋转速度的至少一方。

公开(公告)号：CN101465360A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200810185585.3

申请日：2008-12-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 林正美 ,  内田祐介

IPC: H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14692

Abstract: 本发明涉及光传感器以及光传感器的制造方法。在考虑了与非晶硅的粘合性后，防止源电极和漏电极的断线。本发明的光传感器具有TFT阵列衬底，该TFT阵列衬底具有阵列状配置有薄膜晶体管(101)的元件区域(102)，具有设置在薄膜晶体管(101)的上部并形成有接触孔(CH1)的钝化膜(8)和通过接触孔(CH1)与薄膜晶体管(101)的漏电极(7)连接的光电二极管(100)，在TFT阵列衬底的元件区域的外侧的周边区域(103)，钝化膜(8)和栅极绝缘膜(3)被除去，周边区域(103)的钝化膜(8)的边缘形成在与周边区域的栅极绝缘膜(3)的边缘相同的位置或者栅极绝缘膜(3)的边缘的外侧。

公开(公告)号：CN101231940A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200710199790.0

申请日：2007-11-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 伊藤康悦 ,  林正美

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  G03F7/00 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明的目的在于提供可简便地获得所希望的形状的图案的多层薄膜图案和显示装置的制造方法。本发明的多层薄膜图案的制造方法具有：在衬底上形成金属膜(3)的步骤；在金属膜(3)上形成第2透明导电性膜(4)的步骤；在第2透明导电性膜(4)上形成抗蚀剂图案(5)的步骤；将抗蚀剂图案(5)作为掩模对第2透明导电性膜(4)进行蚀刻的步骤；采用有机溶剂或RELACS材料使抗蚀剂图案(5)变形以覆盖第2透明导电性膜(4)蚀刻后的端面的步骤；在第2透明导电性膜(4)的端面由抗蚀剂图案(5)覆盖的状态下对金属膜(3)进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN101034659A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710085723.6

申请日：2007-03-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 薮下宏二 ,  林正美 ,  山部贵人

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/321 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明提供了一种不增加工序数，在除去Mo氧化物的同时，抑制Mo氧化物附着于基板的基板制造方法及基板处理装置。本发明的基板制造方法是在基板上形成含钼层，在上述含钼层露出的状态下，对上述基板进行至少使用氮气的常压等离子体处理的方法。本发明提供了通过这样的构成，不增加工序数，在除去Mo氧化物的同时，抑制Mo氧化物对基板附着的基板制造方法。