公开(公告)号：CN111899911A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN202010620150.8

申请日：2020-07-01

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 刘悦 ,  郭冲霄 ,  姚松松 ,  范同祥

IPC: H01B1/02 ,  H01B1/04 ,  H01B13/00 ,  C23C16/52 ,  C23C16/26 ,  C25F3/22 ,  H01P3/00 ,  H01P3/06 ,  H01P3/08

Abstract: 本发明涉及一种石墨烯/金属复合导体及其制备方法和传输线。上述石墨烯/金属复合导体包括：金属导体和两层侧面石墨烯层。金属导体具有两个侧面，两个侧面相对设置；每层侧面石墨烯层原位生长在金属导体的一个侧面上，每层侧面石墨烯层的厚度均为0.5μm～8μm，每层侧面石墨烯层的宽度均为0.3nm～10nm。上述石墨烯/金属复合导体能够作为传输线的导体材料，使得传输线在使用时实现阻抗可调范围为30Ω～80Ω，能够实现与器件或系统阻抗匹配动态可调。

公开(公告)号：CN111979525A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010639924.1

申请日：2020-07-06

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 刘悦 ,  姚松松 ,  郭冲霄 ,  范同祥

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/54 ,  C23C16/02 ,  C23C16/56 ,  C23C16/52 ,  C01B32/186 ,  H01B13/00

Abstract: 本发明提供了一种高导电率石墨烯/铜复合导线制备方法，该法包括，对铜丝电化学抛光至Ra＜5nm的粗糙度，于管式炉中进行石墨烯的卷对卷化学气相沉积和掺杂；所述管式炉分别与碳源、还原性气体源和掺杂源连接；所述掺杂源包括导致石墨烯产生p型掺杂效应的材料或使石墨烯产生n型掺杂效应的材料。该石墨烯沉积过程包括按掺杂生长-刻蚀依次进行的1-500个循环过程，每次循环包括掺杂生长-刻蚀。本发明提供的技术方案不仅实现了石墨烯自身的高质量合成，而且在石墨烯保持高导电率的前提下使沉积和掺杂层厚度得到了尽可能提高，获得了沉积和掺杂石墨烯的厚度和导电率匹配良好，石墨烯与基底材料界面结合优异的石墨烯/铜复合导线，其导电性可达7.8×107S/m。