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公开(公告)号：CN117538989A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202210923635.3
申请日：2022-08-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种基于氮化硅结构的片上多模端面耦合器，包括：由下而上依次设置于锥形硅波导上的第一氧化硅覆盖层、第一锥形氮化硅波导、第二氧化硅覆盖层、第二锥形氮化硅波导和第三氧化硅覆盖层，其中：锥形硅波导用于实现波导中模式输入与耦合，三层氧化硅覆盖层的厚度各不相同，锥形硅波导的宽度较宽的端口输入波导中的模式，在波导逐渐变窄的过程中，波导中的模式逐渐耦合至氮化硅波导中；锥形氮化硅波导和氧化硅覆盖层共同实现模式的模斑放大。本发明将多层氮化硅结构运用到端面波导结构中，实现TE0、TE1、TM0、TM1模式的高效耦合。
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