基于自抗扰首向控制的欠驱动船舶路径跟踪方法及系统

    公开(公告)号:CN118963365A

    公开(公告)日:2024-11-15

    申请号:CN202411082955.6

    申请日:2024-08-07

    Inventor: 何宇 邹璐 韩冰

    Abstract: 本发明提供了一种基于自抗扰首向控制的欠驱动船舶路径跟踪方法及系统,该方法先获取船舶当前时刻的实际舵角,建立惯性坐标系并在惯性坐标系下获取船舶的目标路径、当前时刻的船舶中心坐标和实际首向角;再建立运动坐标系并在运动坐标系下获取当前时刻船舶合速度,然后采用漂角观测器的增益值随跟踪误差自适应变化的积分视线制导律以及特定的计算方法计算出当前时刻船舶的期望首向角,并采用跟踪微分器计算出期望首向角的过渡信号和过渡信号的微分信号,通过改进线性扩张状态观测器计算出首向角、转首角速度和扰动项估计值,最后采用非线性状态误差反馈控制器计算出当前时刻船舶的期望舵角,进而实现船舶的路径跟踪,解决了船舶的欠驱动问题。

    多波段工作的非对称定向耦合器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115437071A

    公开(公告)日:2022-12-06

    申请号:CN202211083497.9

    申请日:2022-09-06

    Abstract: 一种多波段工作的非对称定向耦合器,包括:依次相连的第一接入波导、耦合接入波导和弯曲波导以及并排设置且依次相连的第一总线波导、耦合总线波导和第二总线波导,其中:耦合接入波导和耦合总线波导并列部分为耦合区域,耦合区域中的耦合接入波导的宽度随着距离增加而逐渐减小,耦合总线波导的宽度随着距离增加而逐渐增加且耦合接入波导和耦合总线波导之间存在间隙。本发明通过优化非对称定向耦合器的耦合区域的长度,从而拓展非对称定向耦合器的工作带宽至多个波段,大大提升了工作带宽,提升片上单一信道容量。

    基于二维光子晶体慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器及其实现方法

    公开(公告)号:CN118707760A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202410997649.9

    申请日:2024-07-24

    Abstract: 一种基于二维光子晶体慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器及其实现方法,其设置于铌酸锂绝缘氧化硅平台(LNOI)上,具体包括:一对平行设置的二维光子晶体慢光波导和分别设置于其间及外侧的三个分段式电容型慢波电极,其中:一对二维光子晶体慢光波导的两端分别与对应的多模干涉仪相连。本发明通过二维光子晶体波导引入慢光效应,降低光的群速度,增强光与介质的相互作用,提高调制器的调制效率的同时,使用分段式电容型慢波电极增大微波折射,实现电光速度以及阻抗的匹配,提高调制带宽。

    基于氮化硅结构的片上多模端面耦合器

    公开(公告)号:CN117538989A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202210923635.3

    申请日:2022-08-02

    Abstract: 一种基于氮化硅结构的片上多模端面耦合器,包括:由下而上依次设置于锥形硅波导上的第一氧化硅覆盖层、第一锥形氮化硅波导、第二氧化硅覆盖层、第二锥形氮化硅波导和第三氧化硅覆盖层,其中:锥形硅波导用于实现波导中模式输入与耦合,三层氧化硅覆盖层的厚度各不相同,锥形硅波导的宽度较宽的端口输入波导中的模式,在波导逐渐变窄的过程中,波导中的模式逐渐耦合至氮化硅波导中;锥形氮化硅波导和氧化硅覆盖层共同实现模式的模斑放大。本发明将多层氮化硅结构运用到端面波导结构中,实现TE0、TE1、TM0、TM1模式的高效耦合。

    基于低带宽器件的大容量通信系统及方法

    公开(公告)号:CN106067859A

    公开(公告)日:2016-11-02

    申请号:CN201610566658.8

    申请日:2016-07-19

    CPC classification number: H04L12/46 H04L2012/5619

    Abstract: 一种基于低带宽器件的大容量通信系统及方法,包括:若干个含有强度调制器阵列和阵列波导光栅的硅基芯片发射端以及与发射端相连的模式复用器以及接收机构,其中:发射端以多路激光作为光载波并通过强度调制器阵列进行高阶QAM‑OFDM电信号调制,强度调制器阵列与阵列波导光栅相连并将调制后的输出光通过阵列波导光栅并耦合到硅基芯片,经模分复用传输后,由接收机构直接检测并接收信号;本发明通过低带宽器件结合模分复用技术和多维复用技术实现了大容量互连系统的搭建,大大降低了互连系统的成本,并且提高了容量扩充的灵活性。

    基于超表面结构的超紧凑硅波导模式转换器件

    公开(公告)号:CN111983754B

    公开(公告)日:2021-10-26

    申请号:CN201910432113.1

    申请日:2019-05-23

    Abstract: 一种紧凑硅波导模式转换器,为基于具有倾斜的亚波长周期性扰动的电介质超曲面结构,包括:在SOI基片上蚀刻形状的若干个周期个数,周期为Λ、占空比、倾斜角度为θ的斜向亚波长扰动的顶层硅结构;本发明采用具有倾斜的亚波长扰动的全介质超表面结构,可以实现紧凑的基模到任意高阶模的硅波导模式转换,能够大幅度提升光通信容量。

    基于超表面结构的超紧凑硅波导模式转换器件

    公开(公告)号:CN111983754A

    公开(公告)日:2020-11-24

    申请号:CN201910432113.1

    申请日:2019-05-23

    Abstract: 一种紧凑硅波导模式转换器,为基于具有倾斜的亚波长周期性扰动的电介质超曲面结构,包括:在SOI基片上蚀刻形状的若干个周期个数,周期为Λ、占空比、倾斜角度为θ的斜向亚波长扰动的顶层硅结构;本发明采用具有倾斜的亚波长扰动的全介质超表面结构,可以实现紧凑的基模到任意高阶模的硅波导模式转换,能够大幅度提升光通信容量。

    基于亚波长光栅结构的片上模式复用/解复用方法

    公开(公告)号:CN110320603A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201810261833.1

    申请日:2018-03-28

    Abstract: 一种基于亚波长光栅结构的片上模式复用/解复用方法,包括:通过在SOI平台上加工得到七个级联的定向耦合器,每个定向耦合器包括一个条形波导和一个亚波长光栅状波导,将条形波导通过绝热锥体连接形成总线波导,然后从总线波导的输入端口入射TE0模的同时,选择性地从各个亚波长光栅波导输入基模,在定向耦合器中达到耦合条件成为对应的高阶模式,使得总线波导内同时存在多路信号实现模式复用或解复用。本发明将亚波长光栅结构运用到定向耦合器中,不仅实现了TE4到TE10等七种高阶模式复用,还大大减小了器件尺寸。

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