公开(公告)号：CN104091887B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410183020.7

申请日：2014-04-30

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 刘力锋 ,  王逸然 ,  王国辉 ,  贡献 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明公开了一种基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池从上到下依次为导电玻璃基片(14)、金属氧化物层(13)、钙钛矿膜层(12)、空穴传输层(11)、背电极接触层述背电极接触层(10)为氧化铟锡ITO层，替代了传统的Au、Ag等，同时使用BaTiO3、ZnO、SnO2等作为金属氧化物层，实现了制备过程使用溶胶凝胶工艺，降低制造成本的同时简化了制备过程，有利于大面积制造。(10)；所述导电玻璃基片(14)上有导电薄膜；所

公开(公告)号：CN104091887A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410183020.7

申请日：2014-04-30

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 刘力锋 ,  王逸然 ,  王国辉 ,  贡献 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01L51/424 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/442

Abstract: 本发明公开了一种基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述基于全溶胶凝胶工艺的钙钛矿太阳能电池从上到下依次为导电玻璃基片(14)、金属氧化物层(13)、钙钛矿膜层(12)、空穴传输层(11)、背电极接触层(10)；所述导电玻璃基片(14)上有导电薄膜；所述背电极接触层(10)为氧化铟锡ITO层，替代了传统的Au、Ag等，同时使用BaTiO3、ZnO、SnO2等作为金属氧化物层，实现了制备过程使用溶胶凝胶工艺，降低制造成本的同时简化了制备过程，有利于大面积制造。

公开(公告)号：CN104091692A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410241013.8

申请日：2014-05-30

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 刘力锋 ,  王逸然 ,  王国辉 ,  韩德栋 ,  王漪 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01G9/20 ,  H01M12/00

CPC classification number: Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种高转化效率的太阳能电池结构与制备方法，所述高转化效率的太阳能电池包括：染料敏化电区域、钙钛矿电池区域和透明导电氧化物层(6)；所述染料敏化电区域和钙钛矿电池区域通过所述透明导电氧化物层(6)连接。所述高转化效率的太阳能电池提高了染料敏化区域中光电转换效率的同时，实现了制备过程溶胶凝胶化，降低了制造成本，简化了制备过程，利于大面积制造。

公开(公告)号：CN104167492A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201410292918.8

申请日：2014-06-25

Applicant: 上海北京大学微电子研究院

Inventor： 康晋锋 ,  王国辉 ,  王逸然 ,  刘力锋 ,  刘晓彦

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/042

Abstract: 本发明提供一种大面积钙钛矿电池，是在导电玻璃基底上，从基底开始向外依次布置的金属网格、电子传输层、钙钛矿膜层、空穴传输层和背电极接触层，所述金属网格由第一层的铝和第二层的钛组成，所述第一层的厚度为150-250nm，第二层的厚度为80-150nm；所述电子传输层的材料为TiO2+BaTiO3两层组合。本发明提出的金属网格结构可以有效的增强电子在光阳极的转移及减少金属电极与金属氧化物界面间电子的复合，电子传输组合层可以有效增加电子传输层与钙钛矿材料的接触面积及提高光生电子的注入效率，减少钙钛矿类电池增加有源区面积而引起的效率退化。同时使用的Al，Ti，Pd等材料成本低廉，有利于大面积制造。