-
公开(公告)号：CN104078399B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201410357214.4
申请日：2014-07-25
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明提供了一种用于SiConi蚀刻的反应腔及方法，属于半导体工艺制造领域，通过在反应腔内设置多个晶圆基座，低温基座与高温基座交替围成一圈，旋转架顺着同一方向将晶圆旋转至相邻的晶圆基座进行刻蚀或挥发，直至晶圆旋转至卸载口。本发明结构简单实用，增加晶圆产能，提高经济效益；此外，在晶圆进行挥发工艺时，向晶圆表面输送氩气，可加快晶圆表面刻蚀副产物的挥发速度，进一步提高单位时间内晶圆的产能。
-
公开(公告)号：CN106169433A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201610584922.0
申请日：2016-07-22
Applicant: 上海华力微电子有限公司
CPC classification number: H01L21/02203 , H01L21/02225 , H01L21/02227 , H01L21/67011
Abstract: 本发明公开了一种改善多孔薄膜材料紫外处理均匀性的装置及方法，该装置包括平行放置于晶圆(6)上方的两根紫外灯管(1)，灯管(1)在灯罩(2)的带动下进行旋转，所述晶圆(6)与紫外灯管(1)之间设有总成组合型结构的透明窗口(3)，所述透明窗口(3)的中心部分为凹形透镜(4)，外圈为平板透镜(5)，利用中心部分的该凹形透镜(4)对投射光的发散作用，使中心区域内的紫外辐照度减弱，本发明可以提高晶圆上的紫外辐照均匀性，最终实现多孔低k值薄膜均匀性的提升，有利于其作为集成电路介电层的稳定性。
-
公开(公告)号：CN105702564A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201610186873.5
申请日：2016-03-29
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/0201
Abstract: 本发明公开了一种改善晶圆翘曲度的方法，通过先在晶圆上沉积应力薄膜，然后通过光刻工艺对晶圆进行图形化，用光刻胶将特定区域的应力薄膜保护起来，再对晶圆进行离子注入工艺，使得特定方向上的应力得以释放，从而能够对晶圆特定方向上的翘曲度进行针对性调整，将晶圆的整体翘曲度控制在合理的范围内。
-
公开(公告)号：CN106449762A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201611167849.3
申请日：2016-12-16
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/0228 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L29/785 , H01L29/6656
Abstract: 介绍了一种新型等离子工艺作为在FinFET器件的间隔物成型期间常规等离子体工艺的改进。在此新型等离子体工艺下，在侧壁材料上生长氧化层并使用低能量等离子体气体对侧壁的拐角区域进行过度蚀刻。该氧化层可在通过低能量等离子体气体过度蚀刻的过程中有效保护侧壁材料，由此降低低能量等离子体气体引起的上述CD损耗。此改进的低能量等离子体蚀刻技术相比于传统低能量等离子体工艺可保护鳍结构不受CD损耗，并且相比于传统高能量等离子体工艺也以降低的Si损耗避免了损害鳍硅结构。
-
公开(公告)号：CN104377107A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410491517.5
申请日：2014-09-24
Applicant: 上海华力微电子有限公司
CPC classification number: H01L21/67213 , H01J37/32908
Abstract: 本发明公开了一种用于SiCoNi蚀刻工艺的蚀刻装置，包括反应腔、远程等离子体发生装置和控制器。反应腔包括承载待蚀刻基板的基座；设于基座上方、用于在SiCoNi蚀刻工艺的蚀刻步骤通入蚀刻剂的透明导气板；设于透明导气板上方用于在SiCoNi蚀刻工艺的升华步骤中产生热量的红外线加热器，红外线加热器的热量通过透明导气板对基板加热以使基板表面的蚀刻副产物升华。控制器在蚀刻步骤中控制远程等离子体发生装置开启以生成蚀刻剂，在升华步骤中控制等离子体发生装置关闭同时开启红外线加热器。本发明能够实现高效率的SiCoNi蚀刻工艺。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105161450B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510460278.1
申请日：2015-07-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/027 , H01L21/3065
Abstract: 一种双浅沟槽隔离形成方法，其首先在晶圆上进行一次曝光显影，将第一浅沟槽(即预定深度更浅的沟槽)区域用第一光刻胶覆盖，然后，用低温PEALD的方式生长一层很薄的氧化硅，接下来再进行第二次光刻，定义第一浅沟槽和第二浅沟槽区域；第一浅沟槽区域由于有第一光刻胶的覆盖，当第一浅沟槽区域的干刻掩膜层(SIN HM)被打开时，第二浅沟槽区域的沟槽已经部分形成，因此，最终可以实现第一浅沟槽深度低于第二浅沟槽深度的双浅沟槽隔离的结构。本发明通过两次光刻和一次干法刻蚀即可实现两种不同深度的浅沟槽，能够简化工艺流程降低工艺成本。
-
公开(公告)号：CN104269371B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410440490.7
申请日：2014-09-01
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开的一种刻蚀装置与方法，通过提供刻蚀装置为包括若干数量第一基座与第二基座交替排列的反应腔室，并将晶圆传送于该反应腔室中，依次经过第一基座—第二基座—第一基座—第二基座进行处理并如此循环，从而完成晶圆刻蚀—挥发—刻蚀—挥发的循环过程，因此很大程度上优化了晶圆的刻蚀工艺且能进行多片晶圆的工艺生产，产量较高，并保证晶圆在蚀刻过程中的副产物被完全去除，大大的提高了晶圆的良率。
-
公开(公告)号：CN105161450A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510460278.1
申请日：2015-07-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/027 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/76224 , H01L21/0273 , H01L21/3065
Abstract: 一种双浅沟槽隔离形成方法，其首先在晶圆上进行一次曝光显影，将第一浅沟槽(即预定深度更浅的沟槽)区域用第一光刻胶覆盖，然后，用低温PEALD的方式生长一层很薄的氧化硅，接下来再进行第二次光刻，定义第一浅沟槽和第二浅沟槽区域；第一浅沟槽区域由于有第一光刻胶的覆盖，当第一浅沟槽区域的干刻掩膜层(SIN HM)被打开时，第二浅沟槽区域的沟槽已经部分形成，因此，最终可以实现第一浅沟槽深度低于第二浅沟槽深度的双浅沟槽隔离的结构。本发明通过两次光刻和一次干法刻蚀即可实现两种不同深度的浅沟槽，能够简化工艺流程降低工艺成本。
-
公开(公告)号：CN104269371A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410440490.7
申请日：2014-09-01
Applicant: 上海华力微电子有限公司
CPC classification number: H01L21/67011 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开的一种刻蚀装置与方法，通过提供刻蚀装置为包括若干数量第一基座与第二基座交替排列的反应腔室，并将晶圆传送于该反应腔室中，依次经过第一基座—第二基座—第一基座—第二基座进行处理并如此循环，从而完成晶圆刻蚀—挥发—刻蚀—挥发的循环过程，因此很大程度上优化了晶圆的刻蚀工艺且能进行多片晶圆的工艺生产，产量较高，并保证晶圆在蚀刻过程中的副产物被完全去除，大大的提高了晶圆的良率。
-
公开(公告)号：CN106876303B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201710033545.6
申请日：2014-09-01
Applicant: 上海华力微电子有限公司
Abstract: 本发明公开的一种刻蚀方法，包括以下步骤，步骤S1、在第一温度氛围中对一晶圆进行刻蚀反应，在刻蚀过程中生成副产物并覆盖于晶圆表面；步骤S2、在第二温度氛围中对晶圆表面的副产物进行挥发处理；将步骤S1和步骤S2作为一个完整的周期，进行至少两次以上的循环处理。因此很大程度上优化了晶圆的刻蚀工艺且能进行多片晶圆的工艺生产，产量较高，并保证晶圆在蚀刻过程中的副产物被完全去除，大大的提高了晶圆的良率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.029 seconds)
